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关键词： 星载二次电源   磁隔离   驱动电路  

摘要： 主要介绍了一种星载二次电源常用磁隔离驱动电路误开通问题及其解决方法。在星载电源常用的磁隔离驱动电路中存在驱动脉冲消失后,由于自举电容能量释放引起的"伪驱动脉冲",导致功率MOS管误导通。通过分析电容能量释放回路,采取相应措施有效抑制"伪驱动脉冲",防止主功率管误导通,并进行了电路仿真和试验验证。

关键词： MOSFET   JFET   功率半导体   利用能源   可持续发展   资源变化   全球气候   IGBT  

摘要： 如何更高效更智能地利用能源,以应对全球气候与资源变化实现可持续发展,功率半导体作为能源产业链的最上游责无旁贷地要提出一些解决方案。过去20年,以英飞凌为主的功率半导体厂家推出、发展一代又一代的Si基IGBT,推动了功率器件市场的可持续进步。然而在即将到来的未来,随着对能源高效、智能、安全、便捷等更加深刻的要求。

关键词： 伏安特性曲线   欧姆定律  

摘要： 改进了课本中小灯泡伏安特性曲线实验的实验设计,得到小灯泡在恒温下的伏安特性曲线,说明小灯泡是满足欧姆定律的适用条件。

关键词： 欧姆定律   等效替代   图像法   串联分电压   并联分电流  

摘要： 欧姆定律是电路的交通规则，可以利用欧姆定律及其变形公式计算电压、电流和电阻但是计算这三个物理量的方法远远不止这个方法，我们还可以根据串、并联电路的电流、电压和电阻规律计算，根据串联电路分电压、并联电路分电流计算电压和电流，根据电阻箱实现等效替代法计算电阻，根据U-I、U-R、I-R图像计算．

关键词： 集成电路设计   梯度掺杂   分裂栅MOSFET  

摘要： 探讨利用采用渐变掺杂漂移区的分裂栅MOSFET的基本结构和工艺流程。对不同的器件结构参数对器件电性能的关系进行了仿真分析。结果表明通过优选器件结构参数,可以获得比均匀掺杂漂移区更理想的电性能和更好的漂移区电场分布。

关键词： 稳压器   驱动器   同步降压   MOSFET   功率密度  

摘要： 集成是固态电子产品的基础,将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展,功能密度不断提高,在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。对产品开发人员来说,功率密度是一个始终存在的挑战,对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求.

关键词： 漏电流   回路电流法   水激活电池  

摘要： 通过建立电路模型对分模块供液的水激活电池的漏电流进行计算,并利用试验推导法验证模型是有效的。通过计算发现分模块供液可以有效地减小漏电流,且模块分的越多漏电流越小,但漏电流的分布也越不对称。考虑到模块越多电堆制造难度越大,分为四个模块是最为合理的。

关键词： MOSFET   米勒平台   开关损耗  

摘要： 功率MOSFET在开关过程中要跨越放大区,也就是线性区,形成电流和电压的交叠区,从而产生开关损耗,米勒平台就是在这个过程中形成的一段时间相对稳定的放大区。栅极驱动电压通常远大于米勒平台,那么为什么在开关过程中,V_（GS）电压会保持平台不变？高压超结结构的米勒平台的时间长,但为什么反而开关损耗小？V_（GS）为什么在米勒平台产生振荡？本文将详细地论述这些问题,从而在实际的应用中,提供设计优化的方向。

关键词： MOSFET   碳化硅   低导通电阻   Monolith   半导体器件   技术开发   组合注入   增强型  

摘要： Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconduc-tor Inc.近日新推出两款1200V碳化硅（SIC）n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。

关键词： MOSFET   驱动电路   占空比   反向偏置电压  

摘要： 分析传统MOSFET变压器隔离驱动电路存在的缺点,介绍了一种改进型驱动电路。在驱动脉宽较窄(占空比较小)的情况下,改进型驱动电路能维持必要的栅极负偏压,确保MOSFET快速可靠关断,减小关断损耗。该电路也适用于IGBT开关器件,可广泛用于各类开关电源,包括交直流变换器、变频器、不间断电源等领域。