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关键词： 碳化硅   宽禁带   双向逆变器   反并联二极管   第3象限  

摘要： 研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。

关键词： 栅氧   栅致漏极泄漏   Halo   LDD   RTA  

摘要： 随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案。

关键词： 功率通量   潮流与损耗分配   基尔霍夫电流定律   基尔霍夫电压定律   叠加定律   等效电流注入  

摘要： 提出了一种系统化的输电系统潮流和损失分配方法。该方法基于基本电路理论、等效电流注入法和等效阻抗法。利用4个步骤用于跟踪每个发电机依次提供的电压、电流、功率流和损耗,该方法可以计算出各输电线的实际功率和无功功率及其来源和终点。每台发电机所产生的每一条线路的损耗分摊也可得到。测试结果表明,该方法能满足潮流方程、功率平衡方程和基本电路理论,在与以前的方法比较以证明所提出的方法的有效性。

关键词： 核心素养   课堂教学   物理观念   科学思维   科学探究   科学态度  

摘要： 核心素养是三维目标的继承与发展,体现了物理学科文化层面的教学,以物理知识为载体,超越对知识的理解,引导学生科学思维,形成物理观念。本文以闭合电路欧姆定律教学为例,浅谈物理观念、科学思维、科学探究以及科学态度与责任的落实。

关键词： 欧姆定律   线性元件   伏安特性曲线  

摘要： 在高中实验绘制小灯泡的伏安特性曲线不是一条过原点的直线,根据欧姆定律的定义,小灯泡似乎不满足欧姆定律。将从欧姆定律的条件、线性和非线性元件的定义方面进行分析后得到结论。问题的提出在高中实验——描绘小灯泡的伏安特性曲线中,实验测得的伏安特性曲线都不是过一条原点的直线。有学生会疑惑:既然小灯泡的伏安特性曲线不是一条过原点的直线。

关键词： 半桥驱动器   GaN   MOSFET   场效应晶体管   开关频率   小尺寸   硅  

摘要： LMG1020和LMG1210可在提供50MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。LMG1210是一款50MHz半桥驱动器,专为高达200V的GaN场效应晶体管而设计。

关键词： 产品组合   驱动器   GaN   电源   TI   场效应晶体管   MOSFET   德州仪器  

摘要： 德州仪器（TI）近日宣布推出两款新型高速氮化镓（Ga N）场效应晶体管（FET）驱动器,进一步扩展了其业内领先的Ga N电源产品组合,可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频（RF）包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率,并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。

关键词： SiCMOSFET   并联均流   同步采集   无刷直流电机   独立驱动   鲁棒性  

摘要： 为满足机、弹载伺服驱动系统高功率密度与高效率的需求,提出基于并联SiC MOSFET架构的无刷直流电机高效驱动技术。针对四管分立SiC MOSFET并联不均流现象,在分析不均流机理的基础上,采用基于独立驱动的方法提高并联均流效果;并针对SiC MOSFET高速开关过程产生的较高dv/dt问题,提出一种基于PWM信号的同步采集方法,有效地提升了驱动系统鲁棒性。最后,以航空25 kW无刷直流电机驱动系统作为应用对象,通过实验验证了以上方法的有效性。

关键词： Proteus   欧姆定律   应用  

摘要： 新课改下中学电学课堂及实验介绍一种新的教学手段和方法，也为了中学物理教师及学生轻松学习和使用Proteus电路仿真软件．通过欧姆定律电路仿真案例，给出了利用Proteus实现电路仿真的详细步骤．

关键词： 功率MOSFET   半桥驱动   RLC串联回路   元件选型   效果验证  

摘要： 功率MOSFET驱动电路是在电气控制领域应用十分广泛的电路,特别是电机驱动及高频变压器方面是不可或缺的。为更好地实现其驱动效果,需要对其驱动电路工作状态及电气元件的选择进行分析。首先对其电路的原理及其驱动MOSFET的工作状态进行理论分析,得到其电路运行的不稳定因素。然后针对这些因素进行电路设计的改进及理论上元器件型号的合理选择。最后通过实验验证改进后电路驱动MOSFET的效果有明显的改善。