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关键词： MOSFET   碳化硅   电源转换   开关频率   功率密度   产品设计   高可靠性   革命性  

摘要： 近日，大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200VSiCMOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。大联大品佳代理的英飞凌的这款SiCMOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。

关键词： 降压稳压器   多芯片模块   PWM   降压转换器   安森美半导体   MOSFET   集成方案   封装技术  

摘要： FAN6500X降压转换器系列支持4.5~65V的宽输入电压范围,输出电流高达10A,输出功率为100W,结合经历时间测试的固定频率控制方法与灵活的TypeIII补偿和强固的故障保护。集成了PowerTrenchMOSFET技术,以创建一种强固的集成方案,为DC/DC应用提供领先业界的功率密度和能效。FAN65008B/5A/4BPWM降压转换器结合安森美半导体的PowerTrenchMOSFET工艺与领先业界的封装技术在一个四方扁平无引线(PQFN)封装中,提供电源路径上极低的寄生效应,使开发人员能够实现98.5%的峰值能效,比使用一个外部MOSFET的方案具有更低的振铃和更好的电磁干扰(EMI)。

关键词： 电力场效应管   RTS噪声   高阶累积量   交叉相关系数   EMD算法  

摘要： 电力场效应管(Power Metal Oxide Semiconductor FET,P-MOSFET)是构成电力通信电源的核心器件,其可靠性直接影响到电力通信的安全稳定运行。随机电报信号(Random Telegraph Signal,RTS)噪声是表征其可靠性的敏感参数,为了能够检测与分析P-MOSFET内部的RTS噪声,提出一种改进型的经验模态分解(Empirical Mode Decomposition,EMD)自适应选择算法检测RTS噪声,运用时间和波形相关系数优化高阶累计量分析RTS噪声。仿真结果表明,新算法的滤波效果优于传统的算法,优化后高阶累计量不仅提高了RTS噪声处理能力,而且验证了其在零频处具有1/f的特性。

关键词： 智能MOSFET   机械式继电器   短路保护   通流能力   钳位能量  

摘要： 针对智能MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)在汽车电子系统应用中遇到的问题,提出了相应的技术解决方案:针对智能MOSFET在电源反接、短路、过载以及抛负载工况下的损坏问题,提出了硬件保护电路及软件控制策略;针对智能MOSFET的电流反馈精度差,无法满足控制精度,提出通过标定提高检测精度的方法。通过并联智能MOSFET降低导通电阻,提高了回路的通流能力。通过在负载两端并联TVS(Transient Voltage Suppressor),解决了智能MOSFET钳位能量能力不足问题。通过试验及实车测试,验证了方案的可行性和有效性。

关键词： 碳化硅MOSFET   温度特性   理论分析   实验测量  

摘要： 为了获取碳化硅(Si C)MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在不同温度下对器件的静态特性及寄生电容进行测量。并基于已有硅(Si)MOSFET的静态特性理论,结合碳化硅材料的温度特性,详细分析了碳化硅MOSFET静态特征参数的温度特性。研究结果表明碳化硅MOSFET的跨导具有与硅器件完全不同的温度特性,并且相比于第一代碳化硅MOSFET,第二代器件的泄漏电流表现出更低的温度依赖性。然而随着温度升高,第二代碳化硅MOSFET的导通电阻较第一代增长更快,但增长依旧远低于硅MOSFET。

关键词： 固定频率   第5代   MOSFET   CoolMOS   控制器IC   电流调节器   Brown   股份公司  

摘要： 近日,英飞凌科技股份公司推出了第5代固定频率700 V/800 V CoolSETTM。该解决方案将PMW控制器IC和最新700V和800V CoolMOS？ P7 MOSFET集成到一个封装中,在单一平台上就能支持隔离型和非隔离型反激式拓扑。全新的固定频率700 V/800 VCoolSETTM采用高压超结MOSFET，结合内部电流调节器的级联配置，实现快速启动，轻松提供Brown—In保护。集成800VMOSFET和优化的前沿消隐时间支持高达350VAC的交流线路输入。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   封装   开关损耗  

摘要： 相比于硅(Si)功率器件,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有耐高温、耐高压、低导通电阻、快速开关等优势,能够极大提升开关速度、减小损耗。传统封装所引入的寄生电感(特别是共源极寄生电感)及SiC MOSFET自身特性参数的非线性现象对于SiC器件的损耗有待进一步评估。针对上述问题提出一种SiC MOSFET的开关损耗模型,并采用热学方法进行了开关损耗的测试。实验结果验证了该模型的准确性,为SiC MOSFET的电路设计提供指导和帮助。

关键词： MOSFET   雪崩能量   测试方法   失效模式  

摘要： 现如今,功率MOSFET在电子电力设备中应用十分广泛,随着不断的发展,至今已成为工业领域最重要的器件之一,因此由于它而引起的整机失效也越来越常见。分析MOSFET失效的原因和后果,对于它的进一步发展应用具有重要的意义。在电源应用中的MOSFET,多为感性负载应用,电流为线性变化,不存在突变电流,电流能力并不是其失效重点;电压方面,由于变压器、电感的反向电动势,会造成MOSFET漏源之间承受极高的电压,因此反向电压击穿是MOSFET的主要失效模式,此时就需要考虑器件的雪崩能力。本文主要针对雪崩击穿的原理、雪崩能量的测试方法、影响雪崩测试的因素、雪崩击穿的具体失效模式进行分析讨论。

关键词： Compact   驱动器   栅极驱动电路   MOSFET   股份公司   绝缘测试   开关速度   IGBT  

摘要： 近日，英飞凌科技股份公司（英飞凌）推出了EiceDRIVER^TM 1EDC Compact 300mil系列单通道栅极驱动电路。这种电隔离驱动器的绝缘测试电压达到VISO=2500Vrms，60秒，通过了UL1577认证。并且具备高达1MHz的高开关速度，因此它们不仅能驱动IGBT，而且可以作为SiC MOSFET的驱动。

关键词： 世界   GaN   驱动IC   工厂   首座   MOSFET   电源管理   晶圆代工  

摘要： 从年初至今半导体上游材料硅晶圆一路调涨价格，反映下游8英寸晶圆代工需求紧俏，世界先进在去年已感受来自指纹识别、MOSFET等客户下单大增，今年上半年又受惠电源管理IC及大尺寸面板驱动IC拉货强劲，已在今年初对部分产品调涨代工报价，进一步拉高电源管理IC及大尺寸面板驱动IC营收比重至48％及30％。