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关键词： 无桥PFC   SiC   MOSFET   驱动设计   高效率  

摘要： 与传统Boost PFC变换器相比,无桥Boost PFC变换器减少了低频回路上二极管的数量,具有高效率和高功率密度的特点。SiC MOSFET作为一种新型的功率器件,具有开关频率高、温度特性好和导通损耗小的优点。为使SiC MOSFET安全可靠地工作,通过对SiC MOSFET特性的分析,设计了SiC MOSFET驱动电路。以此为基础,设计了一款90～265V输入、1.5kW Dual-Boost无桥PFC原理样机。实验结果证明了方案的合理性和先进性。

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   静、动态特性   建模  

摘要： 针对某功率等级为1 700 V/225 A的全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过实验测试了其静态和动态特性,并将其与同功率等级的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及混合SiC器件对比,发现SiC器件的性能优于Si器件。其次重点研究了基于datasheet建立的SiCMOSFET模型,通过曲线拟合在PSpice中建立器件的静态仿真模型,通过M语言的编写在Matlab软件中建立动态仿真模型。将仿真结果与datasheet中的数据进行对比验证,发现该模型能够准确反映SiC MOSFET的静、动态特性,为器件应用时的损耗计算、特性分析以及电力电子开关变换器的设计优化奠定了基础。

关键词： 双面散热   有限元   纳米银   缓冲层   强度设计   碳化硅  

摘要： 随着功率模块向高功率、高密度的方向快速发展,模块需要更高的散热效率。而传统引线键合模块只能实现单面散热,因此,双面散热的封装结构正被广泛关注。双面散热的封装模块采用缓冲层代替键合引线与芯片电极相连,增加散热通道,有效提高模块的散热效率,但双面互连的封装结构须承受更高的热应力。因此,为设计可靠的双面散热封装结构,本文以最大等效应力和最大塑性应变最小化为目标,采用有限元法,重点仿真研究了双面SiC模块应力缓冲层形状、厚度和焊层面积对模块各层材料的受力与变形的影响规律,为双面封装结构强度设计提供理论指导,实现高可靠双面散热封装SiC芯片。

关键词： 初中物理   物理教师   教学内容   物理知识   初中物理实验   欧姆定律  

摘要： 微课是课改与信息技术发展的必然产物,是教师针对某一主题实施针对性讲解,以视频的方式展现教学内容.当下,初中物理教学中微课的引入,其凭借内容精悍、主题突出、教学新颖等优势,深受广大师生青睐.对此,物理教师应与时俱进,综合考量物理教学目标与实际教学情况,开辟多样性微课教学方法,以活用微课,实现学生的全面发展.一、微课概念微课的全称是微型视频课程,是以信息技术为根基,遵循学生认知规律。

关键词： MOSFET   SiC   肖特基二极管   se公司   iC器件   最终用户   碳化硅   产品  

摘要： Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC器件,使其在碳化硅（SiC）MOSFET上的产品更加丰富。在产品LSIC1MO170E1000中已经将该公司早前已发布的1200V SiC MOSFET和肖特基二极管运用到其中。Littelfuse公司表示,最终用户将由此获得更紧凑,更节能的系统并且将会降低使用的总体成本。Littelfuse还表示.

关键词： GaNMOSFET   高频   门极驱动   谐振   驱动电路   门极损耗  

摘要： 为了解决GaN MOSFET门极驱动的高损耗问题,对比分析了传统驱动和谐振门极驱动电路,提出一种新型谐振门极驱动电路,通过建立数学模型、LTspice仿真分析以及实验验证所提出门极驱动电路的正确性.其基本原理为利用谐振原理在开关管关断过程中通过L将存储在C中的能量反馈到电源中,使能量得到有效利用,从而减小功率损耗.结果表明:GaN MOSFET开通和关断的时间分别为12 ns和16 ns,能够实现开关管的快速开断;新型谐振驱动电路的门极损耗比传统GaN MOSFET驱动电路的损耗减小了55.56%,比普通谐振驱动电路的门极损耗减小了35.66%.

关键词： 基准电压源   亚阈值区   低功耗   模拟集成电路  

摘要： 设计了一种基于亚阈值区MOS管的低功耗基准电压源。利用MOS管差分对的栅源电压差对MOS管的栅源电压进行温度补偿,从而得到基准输出电压。采用0.18μm混合信号CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,该基准电压源的最小工作电压为1.25V,在0℃～80℃温度范围内的温度系数为6.096×10^(-5)/℃。

关键词： 碳化硅芯片   混合开关   门极驱动   功率模块   变频器  

摘要： 综述了基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合开关器件,总结了相关的门极驱动时序、门极驱动硬件设计、电流分配优化、功率模块设计、变频器设计和成本分析等要素。该类混合开关器件可以实现Si IGBT的零电压开通和零电压关断,大幅缩短Si IGBT的拖尾电流时间,降低开关损耗,并可实现高频运行。该类混合开关器件还利用了Si IGBT的导通特性优势,与同规格纯SiC器件相比成本大幅降低。部分文献的仿真与实验结果验证了该类器件的优异特性,所开发的示范性样机具有较高使用价值,一定程度上可满足同时需求高频开关和中、大功率的应用。

关键词： 氧化镓(Ga2O3)   金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)   漏源饱和电流密度   离子注入   击穿电压  

摘要： 研制了一款具有高漏源饱和电流密度的Ga2O3MOSFET器件。采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在Fe掺杂半绝缘（010） Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,n型Ga2O3沟道层Si掺杂浓度为2. 0×10^（18）cm^（-3）,n型沟道厚度为80 nm。采用Si离子注入工艺,器件欧姆特性得到大幅改善,欧姆接触电阻降至1. 0Ω·mm。采用原子层沉积（ALD）厚度为25 nm的Hf O2作为器件的栅下绝缘介质层。测试结果表明,在栅偏压为0 V时,器件的开态导通电阻仅为65Ω·mm,漏源饱和电流密度达到173 m A/mm,器件的三端关态击穿电压达到120 V。

关键词： 碳化硅(SiC)MOSFET   高温栅偏   静态特性   灵敏度   恢复时间  

摘要： 为了评估不同电热应力和时间周期下碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高温栅偏特性,搭建了具备施加高温栅偏应力和测量器件静态特性以及两者快速切换的实验平台。从施加高温栅偏应力、去除应力后室温下短期恢复和长期恢复3个不同阶段研究了SiC MOSFET静态参数对高温栅偏应力的敏感度,以及不同时间周期范围内阈值电压的恢复能力。实验结果表明,高温栅极正偏压和高温环境存储都会导致器件阈值电压的正向漂移,室温施加栅极正偏压,器件阈值电压几乎不发生漂移。此外,长时间高温栅偏后,室温条件下器件的导通电阻和泄漏电流都表现出十分优异的稳定性。然而,高温栅偏后器件阈值电压的漂移程度还取决于恢复时间,恢复时间越长,阈值电压漂移程度越小。