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关键词： 欧姆定律   电路设计   电路计算   初中物理  

摘要： 欧姆定律作为电路问题的核心原理之一,在培养学生理解电路和解决问题的能力方面起着至关重要的作用.文章以初中物理学习中的电路问题为背景,通过分析欧姆定律的基本原理及相关概念,探究欧姆定律在电路设计和计算中的应用,通过实例演示和计算求解,展示了欧姆定律在电路问题中的实际作用.

关键词： 碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管   结温监测   米勒平台电压   校正方法  

摘要： 基于导通米勒平台电压的碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(SiC metal-oxide-semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)结温监测方法受到功率回路负载电流和驱动电路电阻等参数的影响,会造成很大的测量误差。文中以降压变化电路中的SiC MOSFET为研究对象,研究了负载电流和驱动电阻、电感对导通米勒平台电压的影响,并进行了多组校准试验,建立了新的结温监测方法。试验验证了文中提出的结温监测及校正方法的有效性,且最大误差小于6.9℃。文中提出的结温检测方法可在具有不同负载电流和驱动电阻的变换器中准确获取结温信息。

关键词： SOLO分类理论   高中物理   教学设计  

摘要： 文章基于SOLO分类理论,以物理学科核心素养为导向,结合课标、教材和学情,设计出符合高中学生认知发展水平的物理教学设计,以“闭合电路的欧姆定律”为例,通过设置前测题了解学生的学习起点,设置具体的教学环节促进学生的知识建构,设置评价题了解学生的学习效果,形成一个完整有效的教学设计,促进学生物理学科核心素养的发展,提高学生物理学科关键能力。

关键词： 脉冲功率开关   SiC-MOSFET   开关封装结构   双脉冲测试   开关动态性能  

摘要： 作为脉冲系统的核心部件,开关承担着脉冲成形、功率调制等重要作用,开关通断速度往往决定脉冲上升时间,高速开关是纳秒短脉冲形成的关键。提出一种高速SiC-MOSFET叠层封装结构,整体布局无引线、无外接,具有极低寄生电感。开展了电磁场仿真研究,揭示了脉冲形成过程中封装多介质界面电磁场分布规律,明确了封装结构电磁薄弱环节,为进一步绝缘优化提供指导。搭建双脉冲测试平台,对研制的SiC-MOSFET叠层封装开关与同芯片商用TO-263-7封装开关的动态性能进行测试。结果表明,大电流工况下,所提封装电流开通速度提升48%,关断速度提升50%,开通损耗降低54.6%,关断损耗降低62.8%,实验结果验证了所提叠层封装结构对开关动态性能的改善。

关键词： 初中物理   电学   欧姆定律  

摘要： 本文主要讨论初中阶段串联和并联电路中欧姆定律的列方程解题应用.欧姆定律是电学中最基本的定律之一,它描述了电流、电阻和电压之间的关系.在串联和并联电路中,可以运用欧姆定律来推导和解决一些电路问题.

关键词： SiC MOSFET   栅电荷   栅极恒流   感性负载   双脉冲测试  

摘要： SiC MOSFET是一种高性能的电力电子器件,其开通/关断过程中积累/释放的栅电荷Q_(g)对MOSFET的开关速度、功率损耗等参数有重要影响。通常采用在栅极设置恒流源驱动,对时间进行积分的方法来测量Q_(g)。为了降低驱动复杂度,提高测试结果精度和可视性,基于双脉冲测试平台的感性负载回路,改用耗尽型MOSFET限制栅极电流实现恒流充电,对SiC MOSFET进行测试。同时利用反馈电阻将较小的栅极电流信号转换为较大的电压信号。实验结果表明:在误差允许范围(±5%)内该测试方案能较为准确地测得SiC MOSFET的Q_(g),测试结果符合器件规格书曲线。

关键词： 热模型修正   固态功率控制器   结温   MOSFET   老化  

摘要： 固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)中功率管的结温监测对SSPC的可靠性有至关重要的作用,热模型法因其无需直接接触测量且方法简单而被广泛使用。然而,功率芯片的老化会导致热路径的退化,器件的结壳热阻抗增加,使实际结温远远超过热网络模型的估计值,导致对器件健康状态的乐观估计。焊料层疲劳失效被认为是SSPC功率管老化失效的主要原因之一。因此,在SSPC的寿命周期中实时监测器件的老化状态,并对功率管的热模型进行自适应在线修正,通过测量不受焊料层退化影响的热敏参数来计算热阻作为更新依据,将热阻信息关联焊料层老化状态来更新热模型。所提方法可在不影响SSPC正常工作的前提下,实时修正热模型,实验结果验证了方法的有效性。

关键词： 电学实验   模块化   电路特点   欧姆定律  

摘要： 高中电学实验的理论基础是“电压”“电流”“电阻”三个基本概念和“串、并联电路的特点”“欧姆定律”两个基本规律。基于基础知识的高效整合,强化思维训练,提高物理核心素养,为有效突破高中物理电学实验复习困境提供借鉴。

关键词： 欧姆定律   动态电路   初中物理  

摘要： 欧姆定律是指导体中电流与导体两端的电压成正比,跟导体的电阻成反比,主要探究电路中的电流、电压与电阻之间的关系,在初中物理电学内容中占据着核心地位.欧姆定律也是中考物理常见的考查知识点,围绕该定律可以拓展多种不同题型.本文主要从欧姆定律的应用题型出发,结合例题对动态电路问题、定量计算问题、电路故障问题进行分析,帮助学生理解欧姆定律概念和应用,更灵活地对电路问题做出解答.

关键词： 超结MOSFET   工艺仿真   深槽刻蚀填充技术   半导体  

摘要： 功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。