课程文献中心 更多>>

关键词： SiC   MOSFET   脉冲MIG逆变   焊接电源  

摘要： 采用SiC MOSFET和Si基肖特基二极管作为功率换流器件,研制了一台以ARM(advanced RISC machines)为主控芯片的400 A级脉冲MIG逆变焊接电源。针对SiC MOSFET功率器件特性以及逆变焊接电源的工作特点,设计了一种带保护机制的SiC MOSFET驱动器;主电路前级采用全桥逆变结构,后级整流电路采用全桥整流结构。结果表明,SiC MOSFET脉冲MIG逆变焊接电源输出电流波形稳定可控,动态响应性能好,焊接效果优良。

关键词： 电容   电压   电动势   电流   欧姆定律   电学史  

摘要： 描述了电学发展初期,电容、电压、电动势和电流等基本概念诞生时经历过的一些实验和思想历程,叙述了欧姆定律的发现过程.这些概念和定律诞生的过程有些隐藏在历史深处,挖掘描述这些历史过程,对电磁学教学很有帮助.

关键词： 单端反激式开关电源   开关电源设计   变频器   电流模式控制器   DC-DC变换   多路输出   德州仪器公司   MOSFET  

摘要： 本文设计了一种基于德州仪器公司电流模式控制器TL2844B的多路输出单端反激式开关电源。该电源用于660V160kW矿用变频器,采用DC-DC变换方式,具有5路输出,通过稳定性良好的双环路反馈控制初级回路震荡脉冲占空比,以适应直流输入电压在较大范围内变化。介绍了TL2844的工作原理及外围电路、电压反馈和电流反馈及保护电路、高频变压器设计、初级回路MOSFET选型、输入输出滤波电路,旨在改善输出直流电源电能质量。

关键词： 纳米NMOS器件   功函数变异   模拟/射频性能   非正态统计分布  

摘要： 当集成电路技术进入到纳米尺度,金属栅极上分布的晶粒显著减少,功函数变异(WFV)对MOSFET器件和电路性能产生重要的影响.文中通过偏差反向传播(POV)方法将功函数变异解析为平带电压标准差,建立22nm NMOS器件模拟/射频性能的统计分析,这些性能参数包括栅电容、跨导、截止频率和跨导效率.经HSPICE仿真分析结果表明:上述参数均受WFV影响产生随机波动现象,且参数变化相对标准偏差对栅电压非常敏感;从统计分布看,模拟/射频性能参数受WFV影响均偏离正态分布,但其概率统计特性却各有差异.

关键词： 碳化硅   MOSFET   换流回路   杂散电感   开关振荡频率  

摘要： 在基于碳化硅(SiC)MOSFET器件的高压高频变换器中,快速的开关瞬态电流变化率di/dt会作用于换流回路杂散电感上,导致SiC MOSFET器件承受较大的电气应力,增加系统电磁干扰。因此,换流回路杂散电感的准确提取对于分析器件的开关特性非常关键。所以,该文提出了基于开关振荡频率的换流回路杂散电感提取方法,该方法具有不受杂散电阻、测量延时和平台尺寸的限制等优点。最后将该方法与现有的不同杂散电感提取方法进行了对比,验证了其有效性。

关键词： SiC   MOSFET   并联   寄生电感   控制变量法   电流不平衡  

摘要： 电路寄生参数的不一致将会导致并联SiC MOSFET器件的电流不平衡。搭建了并联SiC MOSFET测试平台来评估电路寄生电感不匹配对SiC MOSFET并联电流分配的影响。基于控制变量法的原理,在其中一条支路串入电感的同时在另一条支路串入低感电阻,由此消除了电感引入的寄生电阻对实验结果的影响。然后分别对漏极电感Ld、源极电感Ls和栅极电感Lg不匹配与并联电流分配的关系进行实验研究,实验结果表明：Ld不匹配对并联器件的瞬态电流上升过程没有影响,但会在两个器件间造成环流,且在环流衰减的过渡阶段和稳态阶段Ld对电流分配具有不同的影响规律,Ls不匹配使得电感较小的器件瞬态电流过冲增大,而Lg对器件并联电流没有影响。

关键词： 金属-氧化物-半导体场效应晶体管   驱动器   桥式电路  

摘要： 作为一种宽禁带器件,碳化硅(SiC)金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)可以工作在高温、高阻断电压和高开关频率的条件下。然而,较高的开关速度会使电路寄生参数对驱动信号造成的不利影响增强,使得开关瞬态的驱动电压尖峰提高。相较于硅(Si)MOSFET,SiC MOSFET的栅源极承受负压的能力较低。所述方案通过在栅源极并联一个PNP型三极管和电容的方式来抑制负压尖峰,从而使MOSFET驱动在高频状态下仍然能正常工作。通过仿真和实验验证,在不降低开关速度的前提下可有效消除负压尖峰。

关键词： 功率模块   SBD   MOSFET   SiC   高温高湿环境   导通电阻   绝缘击穿  

摘要： 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器,开发出实现业界顶级※可靠性的额定值保证1700V 250A的全SiC功率模块'BSM250D17P2E004'。近年来,由于SiC产品的节能效果优异,以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。随着各种应用的多功能化和高性能化发展,系统呈高电压化发展趋势,1700V耐压产品的需求日益旺盛。

关键词： 亚阈值电流   亚阈值斜率   三材料双栅   应变硅  

摘要： 基于泊松方程和边界条件,推导了对称三材料双栅应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET:metal oxide semiconductor field effect transistor)的表面势解析解.利用扩散-漂移理论,在亚阈值区电流密度方程的基础上,提出了亚阈值电流与亚阈值斜率二维解析模型.分析了沟道长度、功函数差、弛豫Si Ge层的Ge组份、栅介质层的介电常数、应变硅沟道层厚度、栅介质高k层厚度和沟道掺杂浓度等参数对亚阈值性能的影响,并对亚阈值性能改进进行了分析研究.研究结果为优化器件参数提供了有意义的指导.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好.

关键词： 电力电子器件   反向恢复   二极管   Si基   混合   MOSFET   组合器件   高可靠性  

摘要： 提出了一种利用成熟且廉价的硅基MOSFET和SiC二极管组合器件。利用SIC二极管解决硅基器件的反向恢复问题．并且拥有硅基器件的成熟度．可以满足高可靠性的车载充电机应用。