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关键词： 物理复习   闭合电路欧姆定律   图像  

摘要： 本文探讨了在高三物理复习教学中,在学生理解闭合电路欧姆定律的基础上,以图像为经、以问题为纬,重点研究电路中电流、路端电压、各部分功率、电源效率等随外电路电阻R的变化规律,有效实现攻"重"克"难"目标,提高学生的综合运用能力。

关键词： MOSFET  

摘要： 中国,2018年12月14日-意法半导体推出MDmesh?系列600V超结晶体管,该产品针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计。针对软开关技术优化的阈值电压使新型晶体管非常适用于节能应用中的LLC谐振转换器和升压PFC转换器。电容电压曲线有助于提高轻载能效,最低16 nC的栅极电荷量(Qg)可实现高开关频率,这两个优点让MDmesh M6器件在硬开关拓扑结构中也有良好的能效表现。

关键词： STEM   物理核心素养   闭合电路欧姆定律  

摘要： 目前STEM教育是一种以"做中学"为教学形式,从解决实际问题出发,收集信息,设计方案,制作产品解决问题,并在此过程中提升能力和素养的教学过程.通过STEM活动目标教学方法设计了一节"水果能供电吗?——探讨闭合电路欧姆定律"的活动课,分析了STEM教学在培养物理学科核心素养中的价值,思考了STEM教学应用到物理学科的若干问题.

关键词： SiC   MOSFET   温度   导通电阻   阈值电压   迁移率   界面态  

摘要： 通过对Cree公司三代SiC MOSFET样品在-160～200℃温度下进行测试,提取出每代器件在不同温度下的阈值电压、导通电阻等特征参数。分析比较了三代产品阈值电压、导通电阻随温度的变化趋势,以及不同温度下导通电阻与栅极电压的关系。运用建立物理模型的方法,对三代产品阈值电压、导通电阻各组成部分与温度的关系进行了比较研究。解释了SiC MOSFET的阈值电压的温度变化率随产品更新而逐代降低的原因,是栅极SiO_2/SiC界面存在的陷阱密度在逐代地下降。通过TCAD仿真拟合转移特性随温度的变化,验证了新产品的界面态密度的降低,同时佐证了SiC MOSFET的技术水平在近几年有显著提升。

关键词： 初中物理   互动式教学   欧姆定律  

摘要： 初中物理课程有着难度大以及复杂性的特征,导致了传统的教学模式也难以获得良好的教学效果。因此说各初中物理教学人员还需要对现有的教学模式进行不断的改进,并积极应用互动式教学法来进行该课程的课堂教学,借此来获得良好的教学效果。本文主要就欧姆定律这一章节为例,对初中物理课堂中互动式教学法的应用进行了探究分析。

关键词： 金属氧化物半导体场效应管   碳化硅   温度特性   开关损耗  

摘要： 为评估器件结温对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关瞬态过程的影响,以Cree第2代1 200 V/36 A SiC MOSFET为研究对象,利用B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪和双脉冲测试平台在不同温度下对器件的静动态特性进行实验。并且对比了不同温度下开关延时时间、开关电气应力(开通电流过冲和关断电压过冲)及开关能量损耗的差异。研究结果表明:SiC MOSFET开通延时具有负温度系数,而关断延时具有正温度系数。此外,SiC MOSFET的开通电流变化率和电压变化率的绝对值随温度升高而逐渐增大,而关断电流变化率的绝对值和电压变化率却具有相反的规律,因此随着温度升高,开通过程越快,开通电流过冲增大,但开通损耗会随之减小,而关断过程越慢,关断电压过冲减小,关断损耗却会随之增大,致使总开关损耗几乎不变。

关键词： “互联网+”   翻转课堂   “微课”教学   实验教学  

摘要： 随着互联网的普及,“翻转课堂”“微课”教学模式在国内兴起,越来越多的教师尝试着利用“互联网+”“翻转课堂”“微课”来优化教学活动,物理实验教学模式也可能会发生改变,在此思想指导下,尝试着在实验课中设计了《根据欧姆定律测量导体的电阻》。

关键词： DC/DC变换器   升压   TL494   MOSFET  

摘要： 设计一种将18V转换为36V的升压型DC/DC变换器。介绍了该变换器的结构及基本原理,通过计算分析了主要器件的选择,并给出了变换器的详细电路原理图。实验测试表明,变换器的电压调整率SV小于3%,负载调整率SI小于2%。变换器还具有电路简单、稳定性能好和过电流保护功能,可用于额定直流电压为36V,电流小于2A的电子设备中。

关键词： SiC   MOSFET   栅极低电压   过冲电压   功耗  

摘要： 随着开关频率的提高,寄生电感对碳化硅(SiC)MOSFET的影响越来越明显,所引起的器件串扰和器件应力,严重制约了SiC MOSFET器件在高频下的应用。在实际设计驱动电路中,为了抑制器件的串扰,栅极低电压多选在-5～0V之间的数值,然而却忽略了栅极低电压对器件应力的影响。在此本文通过理论和仿真分析,研究了寄生电感存在时,不同栅极低电压下的过冲电压和关断瞬间的功耗,从而在设计SiC MOSFET驱动电路时,指导栅极低电压的选取。

关键词： Ge Complementary Tunneling Field-Effect Transistors Featuring Dopant Segregated NiGe Source/Drain   MOSFET  

摘要： Ge complementary tunneling field-effect transistors（TFETs） are fabricated with the NiGe metal source/drain（S/D） structure. The dopant segregation method is employed to form the NiGe/Ge tunneling junctions of sufficiently high Schottky barrier heights. As a result, the Ge p-and n-TFETs exhibit decent electrical properties of large ON-state current and steep sub-threshold slope（S factor）. Especially, I_d of 0.2 μA/μm is revealed at V_g-V_（th） = V_d = ±0.5 V for Ge pTFETs,with the S factor of 28 mV/dec at 7 K.