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关键词： 肖特基势垒二极管   表征   栅极驱动电路   参考设计   MOSFET   电源回路   dI/dt   开关损耗  

摘要： 宗旨:■测量-MOSFET开关损耗,开关时间和栅极电荷准确度。-肖特基势垒二极管(SBD)和二极管反向恢复精确性■为栅极驱动和电源回路PCB布局提供有效的参考设计。■提供有关栅极驱动布局和元器件建议。简化设计验证流程和缩短设计周期。功能:动态表征平台(DCP)使设计工程师能够对Littelfuse提供的高性能碳化硅(SiC)MOSFET和二极管进行高精度表征。本评估工具包的功能要点包括:■专为TO-247-3L碳化硅MOSFET和TO-220-2L SiC肖特基势垒二极管而设计■针对超快速dV/dt和dI/dt事件优化的电源回路和栅极驱动电路。

关键词： 活动   科学探究   闭合电路欧姆定律  

摘要： 学始于思、思源于疑、疑则引探.为了使学生更好地掌握知识,基于科学探究的理念,以闭合电路欧姆定律为例进行了教学设计与实践,共涉及4个流程8项活动.在活动中践行探究,期望"活化"教学;在探究中激发求知,实现教与学的和谐统一.

关键词： silicon-on-nothing   short channel effects   dual material gate   graded channel   trigate MOSFET  

摘要： The evolution of the traditional metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) from planar single gate devices into 3 D multiple gates has led to higher package density and high current ***, due to continuous scaling and as a consequent close proximity between source and drain in the nano-regime, these multigate devices have been found to suffer from performance degrading short channel effects(SCEs).In this paper, a three dimensional analytical model of a trigate MOSFET incorporating non-conventional structural techniques like silicon-on-insulator, gate and channel engineering in addition to gate oxide stack is *** electrostatic integrity and device capability of suppressing SCEs is investigated by deriving the potential distribution profile using the three dimensional Poisson’s equation along with suitable boundary conditions. The other device parameters like threshold voltage and subthreshold swing are produced from the surface potential *** validity of the proposed structure is established by the close agreement among the results obtained from the analytical model and simulation results.

关键词： 金属氧化物半导体场效应晶体管   驱动电路   串扰抑制  

摘要： 碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为一种新型的宽禁带半导体材料,拥有良好的高频开关性能,能够有效提升电力电子变换器的效率及功率密度。以某公司的一款SiC MOSFET全桥模块为基础,通过在Saber仿真软件中建模以及搭建双脉冲测试电路,验证驱动电阻对器件开关性能的影响。同时设计了基于ACPL-339J隔离光耦的驱动电路,重点介绍保护电路的设计,并给出桥臂串扰抑制电路的参数整定方法。最后通过搭建三相脉宽调制(PWM)整流器物理实验平台验证驱动电路的有效性,并且对仿真结论进行了实验验证。实验结果表明,所设计的驱动电路能满足SiC MOSFET高开关频率的驱动需求,对于桥臂串扰有明显抑制效果,能够保证系统稳定可靠运行。

关键词： 直流电路   欧姆定律   Y形电路   Δ形电路  

摘要： 在日常生活中,多端口电路就有广泛的应用,其中常见的便是Y—Δ这样的三端网络的相互转化。而这种转化通常来说通过不同端口的等效悬空可以推导出电阻之间的关系。而本文则提出一种利用欧姆定律来实现对Y—Δ电路的这一转换,来加深对于欧姆定律的理解,有助于更容易的对此类型问题进行一个解答。

关键词： 电学   欧姆定律   高中物理  

摘要： 对于高中物理而言,电学是非常重要的内容,从考试的角度来说,电学题也能很好的区分我们学生掌握知识的水平,因此在高考中也是比较重要的部分。而在电学知识中,欧姆定律又有着不可替代的重要性。因此本文从高中生的角度,对高中物理中和欧姆定律有关的知识和技巧进行分析,并结合一些比较经典的例题来探讨一些解题技巧。

关键词： MOSFET   碳化硅   半导体   电力电子技术   体重   电子学会   IEEE   博览会  

摘要： 11月4—7日,由中国电源学会与IEEE电力电子学会联合主办的第二届国际电力电子技术与应用会议暨博览会(IEEE PEAC 2018)在深圳隆重举行。基本半导体,重磅推出碳化硅MOSFET产品。

关键词： FinFET   MOSFET   技术选择   纳米线   技术节点   退化机制   晶体管   纳米片  

摘要： 近日,比利时微电子中心(IMEC)表示为在N3技术节点引入带有垂直堆叠纳米线和纳米片的全环栅(GAA)晶体管的过程中取得的重大进展。包括改进的Si GAA器件、更好地理解锗(Ge)纳米线pFET中的应变工程,以及对纳米线FET可靠性和退化机制的全面理解。

关键词： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SicMOSFET)   氮化镓高电子迁移率晶体管(GaNHEMT)   高温   稳定性   可靠性  

摘要： 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Si C MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的"陷阱",会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻。对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对Si C MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试。测试结果表明,Si C MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaN HEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响。

关键词： 动态电路   欧姆定律   电表变化  

摘要： 动态电路中电表变化问题是欧姆定律及串、并联电路中电流、电压之间规律的综合应用,对深化欧姆定律在电学问题中的应用具有较强地牵引与指引作用,同时对巩固欧姆定律应用、分析和解决动态电路问题等具有综合性.