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关键词： 物理学习心理   科学探究法   欧姆定律  

摘要： 立足初中物理学科性质,基于“以人为本”,从初中生物理学习心理出发,认为有必要对课堂教学中所使用的教学方法做显化处理,并以“探究通过导体的电流与电压、电阻的关系”为例,着重探讨了科学探究法在课堂教学中的处理.

关键词： 直观素材   学科素养   欧姆定律  

摘要： 高中生对未知的知识和事物有强烈的探究欲望,思维处于由形象思维向抽象思维转换的过渡期,思辨从经验型思辨向理论性思辨转化,容易接受直观展现的知识,不易接受思辨性强、逻辑性高的知识.针对这一特点,在物理教学活动中,教师用各种方式提供直观的教学素材,有利于教学目标的达成,同时可以在潜移默化中培养学生的学科素养.本文以"闭合电路欧姆定律"的教学片断为例,以作引玉之砖.

关键词： SoC   微处理器   单芯片   稳压器   应用   MOSFET   功率预算   片上系统  

摘要： 用于工业和汽车系统的先进SoC(片上系统)解决方案的功率预算不断增加。后续每一代SoC都会添加需要高功率的器件并提高数据处理速度。这些器件需要可靠的功率,包括0.8 V(用于内核)、1.2 V和1.1 V(用于DDR3和LPDDR4)以及5 V、3.3 V和1.8 V(用于外设和辅助元件)。此外,相比传统的PWM(脉宽调制)控制器和MOSFET所能提供的性能,先进SoC解决方案要求更高的性能。

关键词： 欧姆定律   伏安特性曲线   电阻定义式  

摘要： 欧姆定律作为一个实验定律,其应用范围也存在一定的限制,满足欧姆定律的元件其伏安特性曲线需是一条过原点的直线,即称之为线性元件。然而,现实的情况是金属导体作为满足此定律的元件其伏安特性曲线却是曲线。本文主要探讨这种满足是一种近似还是有我们未曾挖掘的新信息。

关键词： Ga_2O_3   MOSFET   breakdown voltage   filed plate  

摘要： Ga_2O_3 metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFETs) with high-breakdown characteristics were fabricated on a homoepitaxial n-typed β-Ga_2O_3 film, which was grown by metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) on an Fedoped semi-insulating(010) Ga_2O_3 substrate. The structure consisted of a 400 nm unintentionally doped(UID) Ga_2O_3 buffer layer and an 80 nm Si-doped channel layer. A high k HfO_2 gate dielectric film formed by atomic layer deposition was employed to reduce the gate leakage. Moreover, a source-connected field plate was introduced to enhance the breakdown characteristics. The drain saturation current density of the fabricated device reached 101 mA/mm at V_(gs) of 3 V. The off-state current was as low as 7.1 ×10^(-11) A/mm, and the drain current I_(ON)/I_(OFF) ratio reached 10~9. The transistors exhibited three-terminal off-state breakdown voltages of 450 and 550 V, corresponding to gate-to-drain spacing of 4 and 8 μm, respectively.

关键词： 等离子体电源   谐振变换器   SiCMOSFET   功率密度   效率  

摘要： 利用SiC MOSFET能简化电路拓扑、提高电源的功率密度和效率.为推动大功率等离子体电源的升级换代,提出了一种采用新型SiC功率器件的全桥谐振变换器.该谐振变换器的主电路采用LLC Zero Voltage Switching(ZVS)拓扑结构,可将谐振换流频率范围增大至260～310 kHz.设计的高频高压全桥LLC ZVS谐振变换器样机的额定输出功率为8 kW,输出电压为270 V.对所研制的8 kW级SiC MOSFET全桥LLC ZVS谐振变换器样机的驱动性能、换流过程、温升以及效率进行了测试,结果表明,研制的谐振软开关等离子体电源性能优良,工作稳定可靠,效率和功率密度均优于使用传统Si MOSFET的LLC谐振变换器.

关键词： 功率MOSFET   安全工作区   导通电阻   寄生电容   瞬态热阻  

摘要： 功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。

关键词： 滑动变阻器   电压表   欧姆定律   电流表  

摘要： 考情分析认真研读近年各地中考试题可以发现,对本专题的考查,主要集中在对电流跟电压、电阻关系的探究、会用"伏安法"测电阻、知道金属的电阻会随温度的变化而发生变化、欧姆定律在实际电路中的计算等。主要题型有填空题、选择题、实验探究题、计算题。欧姆定律是电学中的一条重要定律,因此,各地试题除了对基础知识和基本实验技能进行考查外,特别重视知识与实际问题的联系、重视分析能力的考查、重视科学探究能力的考

关键词： GaN MOSFET   瞬态电压   开关特性  

摘要： 目前GaN器件是国内外研究的热点,功率MOSFET结构比同样耐压的双极性器件具有优异的高温工作特性,但温度不同时带来的半导体特性变化会对MOSFET结构的电学特性产生影响。本文是研究温度对GaN MOSFET的瞬态开关速率影响。首先利用MOSFET的基本公式对GaN在导通和关断时的输出开关速率等瞬态特性进行理论推导,然后在仿真软件ORCAD中搭建电路图进行仿真测试,在其他条件不变时,以温度为自变量,分别仿真导通和截止时,GaN MOSFET的不同瞬态电压和dV/dt数据,分析它们与温度的关系以及引起变化的因素,最终总结温度对GaN MOSFET的瞬态特性响应。

关键词： 控制模块   用电设备   搭铁点   汽车电路   欧姆定律   电路故障诊断  

摘要： 随着汽车电子化的发展趋势,汽车故障诊断中电路诊断的成分也越来越重。汽车电路的诊断过程中主要用到的理论就是欧姆定律,本文先从对欧姆定律原理进行了解释,继而结合汽车诊断中的实际案例进行检测。文末对如何消除汽车电路诊断过程中的误区也给出了建议,对汽车电路检测技术人员有一定的借鉴意义。