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关键词： MOSFET   ST   转换器   ZVS  

摘要： 意法半导体的MDmeshTM DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。MDmesh DM6MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。

关键词： SiC   GaN   MOSFET   功率器件   第三代半导体材料  

摘要： 汽车日渐走向智能化、联网化与电动化的趋势,加上5G商用在即,这些将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元,而GaN基板产值仅约3百万美元。第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点。

关键词： 碳化硅(SiC)MOSFET   短路   热模型   失效分析   栅极氧化层可靠性  

摘要： 本文分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)结果。该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。

关键词： SiC   MOSFET   串扰抑制   门极驱动   辅助支路   开关损耗与延时  

摘要： 由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度,因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法,提出一种改进门极驱动电路。首先,阐述串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,在负压关断前提下,基于控制辅助三极管开断,降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想,提出一种在栅源极增加三极管串联电容新型辅助支路的改进驱动方法,并分析其工作原理,研究改进驱动电路关键参数设计原则。最后,搭建双脉冲测试实验平台,在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下对改进驱动电路设计的有效性进行验证。结果表明,传统驱动下SiC MOSFET桥臂串扰现象明显。相比典型抑制串扰驱动电路,提出的驱动方法在有效抑制串扰同时,减小了开关损耗与开关延时。

关键词： MOSFET器件   低功耗   漏电性能  

摘要： 针对0.13μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。

关键词： MOSFET串联技术   电力工程   电源   实践  

摘要： 电力工程是我国基础性建设工程的重要组成部分,对我国经济的发挥具有重要的推动作用。文章对电力工程电源中MOSFET串联技术的实践进行分析,旨在为MOSFET串联技术提高电力工程质量提供有力的参考。

关键词： 定值电阻   欧姆定律   串并联   电表内阻   电流表   滑动变阻器   差值法  

摘要： 中学物理测电阻的实验方法除伏安法外,还有替代法、电桥法、补偿法、差值法、半偏法等多种衍生测量方法,这些方法是对伏安法测电阻原理的丰富和补充.其中以差值法尤为复杂,涉及电表内阻、定值电阻等多种电学器件的选择及电路设计,本文就差值法的实验原理、电路分析及拓展设计进行整理归类,以供参考.一、差值法测电阻的实验分析1.器材特征测量电阻的辅助电表常以同型电表形式呈现,且已知其中较小量程电表的内阻.

关键词： MOSFET   半导体技术   碳化硅   高可靠性   半导体器件   可靠性测试   第三代   生产工艺  

摘要： 近十年来,第三代半导体技术已趋于成熟。碳化桂作为第三代半导体器件的重要代表,已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化挂MOSFET,助推国内第三代半导体技术发展。基本半导体1200V碳化硅MOSFET采用4寸平面栅碳化硅工艺,结合元胞镇流电阻设计,开发出了短路耐受时间长,导通电阻小,阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。

关键词： 初中物理   电路连接   额定功率   欧姆定律  

摘要： 初中物理在连接电路以及测小灯泡的额定功率是比较难的问题,如果能熟练掌握欧姆定律及电功率公式,这个问题也会迎刃而解的.

关键词： MOSFET   半导体材料   碳化硅   工业级   硅功率器件   自主知识产权   国际领先水平   自主研发  

摘要： 新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布,标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展,自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。近年来,基于硅(Si)、砷化镓(GaAs)半导体材料的功率器件受材料性能所限,正接近物理极限,产业发展进入瓶颈期。