课程文献中心 更多>>

关键词： MOSFET   第四代  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(FOM)。

关键词： SiC   MOSFET   并联均流   设计  

摘要： 随着电力电子技术的发展,对于功率器件的要求也越来越高。为了更好的满足大功率应用场合的要求,需要多SiCMOSFET进行并联,目前并联应用的方案在电机控制、逆变器等电力电子系统中的应用前景十分广泛。但是,由于SiC MOSFET的静态因数和动态因素会直接影响到并联SiC MOSFET的均流特性,从而造成单个器件承受过大的电流应力而损坏。因此,对于SiCMOSFET均流特性的研究是非常有必要的。本文通过对SiC MOSFET电路模型进行研究,给出了一种将两个功率支路共同接入同一共用磁芯的耦合线圈进行主动均流的方法,并对主要功率器件的设计方法进行了研究。

关键词： MOSFET   Vishay   第四代   开关损耗  

摘要： 宾夕法尼亚、MALVERN—2019年1月28日—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。

关键词： 工作电压   能源   替代   产品组合   工作效率   器件   驱动器   驱动   电流  

摘要： 器件最高输出电流2.5 A,适用于电机驱动、可替代能源和其他高工作电压的应用日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器——VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay SemiconductorsVOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。

关键词： 宽禁带半导体   击穿场强   掺杂浓度   纳米薄膜   MOSFET   Ga2O3   漏极电流   击穿电压  

摘要： 4β-Ga2O3场效应晶体管β-Ga2O3具有有意掺杂的浅能级施主(Si,Ge和Sn)和深能级补偿受主掺杂(Mg和Fe),其n型掺杂可控制材料导电率变化范围达15个数量级以上,即从高导电性(电阻率约为10-3Ω·cm)到半绝缘性(电阻率约为1012Ω·cm)。然而,正如其他氧化物半导体一样,不太可能实现p型掺杂,由于目前尚未找到浅受主掺杂杂质,其空穴的输运受其价带结构的限制而导致空穴的有效质量非常大。

关键词： 欧姆定律   世界   量子   中学生  

摘要： 8月北京的清晨,暴雨之后,难得的凉爽。我打车刚到清华西北门,就看到门口大队大队的中学生,还有他们的父母,排着队照相。这些来自全国各地的孩子,个个都特别兴奋。不知为何,我突然眼睛有些发酸。

关键词： 临界电场强度   欧姆定律  

摘要： 为了估计土壤电离的临界电场强度,我们考虑欧姆定律的微分形式与土壤刚刚开始电离的时刻之间的关系。然后通过这种关系估算了Liew文献中提出的土壤A的临界电场强度。土壤A验证了该方法的有效性,得到了令人满意的结果。结果表明该方法可以帮助我们确定临界电场强度Ec。

关键词： MOSFET   英飞凌   IDM  

摘要： 虽然美中贸易战引发的总体经济不确定性,对第一季半导体市场造成冲击,但包括英飞凌(Infineon)、安森美(ON Semi)、威世(Vishay)等国际IDM大厂,在近期召开的法人说明会中不约而同表示,受惠于5G及电动车等新需求明显成长,对今年金氧半场效晶体管(MOSFET)等功率半导体市况抱持乐观看法,下半年仍有可能持续供不应求。

关键词： 活动   科学探究   核心素养   闭合电路欧姆定律   教学设计  

摘要： 科学探究是物理学的本质特征之一,让学生在亲历探究中自主完成知识建构、掌握研究方法是物理教学的核心诉求。基于物理学科核心素养中科学探究的理念,以"闭合电路欧姆定律"为素材,通过创设真情境、激发真问题、践行真实验、归纳真结论等环节设计了以活动为抓手、在活动中做真探究的教学案例。

关键词： SiCMOSFET   门极驱动   过电流保护   电力电子变压器   高压直流输电  

摘要： 设计了并网逆变器以及电力电子变压器中SiC MOSFET功率器件的驱动电路,搭建了用于测试驱动电路的双脉冲测试平台,并且介绍了谐振门极驱动电路的工作原理、特点以及优势;还对电网中SiC MOSFET的过电流保护原理进行了详细分析,进而给出了两种过电流保护方案,并且论证了两种方案的可行性。最后,介绍了几种常见的SiC MOSFET在电网中的应用实例,并对其应用进行总结与展望。