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关键词： 纳米MOSFET   受抑制散粒噪声   射频   噪声建模   强反型区   漏极电流噪声  

摘要： 为了有效地表征纳米MOSFET强反型区下的射频噪声特性,研究了其噪声建模的方法。在分析45nm MOSFET射频小信号等效电路参数提取结果的基础上,建立了该器件漏极电流噪声的简洁模型。该模型完整地表征了决定45nm器件噪声机理的三个组成部分:本征漏极电流噪声、栅极管脚寄生电阻热噪声和栅漏衬底寄生电磁耦合噪声。噪声测量在验证所建模型准确性和精度的同时,还表明:45nm MOSFET的本征漏极电流噪声为受抑制的散粒噪声,并且随着栅源偏压的降低受抑制性逐渐减弱直至消失。

关键词： 能效   功率   电机   意法   工况   电路   驱动   压缩机  

摘要： 电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。为满足市场需求,意法半导体针对不同的工况提供了多种功率开关技术,例如IGBT和最新的超结功率MOSFET。本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路(例如小功率冰箱压缩机)内测试了基于这两种功率技术的SLLIMMTM-nano(小型低损耗智能模压模块),并从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较。

关键词： 初中物理   数学方法   欧姆定律   一次函数   二次函数  

摘要： 物理是初中一门重要的学科,它的理论结构是将数学作为自己的工作语言,以实验作为检验理论正确性的唯一标准,它是当今最精密的一门自然科学学科之一。因此,想要学好物理,不仅要学好数学知识,而且要学会融会贯通。本文通过两个例题分析了初中物理解题中数学方法的应用。

关键词： MOSFET   SiC   MOSFET   极电压  

摘要： 碳化硅(SiC)MOSFET的优异技术功能必须搭配适合的成本定位、系统相容性功能、近似于硅的FIT率以及量产能力,才足以成为主流产品。电力系统制造商需在实际商业条件下符合所有上述多项要素,以开创功率转换的新局面,尤其是以能源效率以及「以更少投入获得更多产出」为目标的案例。

关键词： IR2136   MOSFET   无刷直流电机   自举电路   过流保护   驱动电路  

摘要： 针对传统驱动电路的设计,需要采用相互独立的电源为功率开关管供电,使得硬件结构复杂,可靠性下降,为此,基于功率驱动芯片IR2136与场效应管MOSFET,从信号隔离、三相逆变驱动、过流保护电路等方面,对无刷直流电机驱动电路进行设计。重点阐述了三相逆变驱动电路中的自举电路设计和功率管的驱动保护优化设计。采用TMS570控制板,对该驱动电路进行功能测试,结果表明,设计的驱动电路能够驱动电机平稳运行,且工作稳定可靠。

关键词： SiC   MOSFET   杂散电感   阻抗特性   RLC等效模型   数据拟合  

摘要： SiC MOSFET器件优异的性能使其逐渐被应用于高压高频高效变换器中,然而其器件封装和回路杂散电感在高压高频环境下严重影响并限制了其自身性能和潜力。为了准确提取器件封装和测试平台杂散电感,首先建立了考虑所有杂散参数影响的开关瞬态宽频电路等效模型,分析了器件封装电感和测试平台回路杂散电感对SiC MOSFET所受电气应力的影响。然后基于端口的概念,在宽频范围内利用Aligent4294A阻抗分析仪等测量工具对功率回路的阻抗特性进行测量,并采用RLC串联模型,在MATLAB中对测量数据进行拟合,从而获取回路杂散电感参数。采用相同的方法对SiC MOSFET TO封装器件3个端子两两进行测量和拟合,并获取封装的杂散电感。最后将该方法提取的封装电感值和数据手册中提供的电感值进行对比,其最大误差仅为3 nH,而回路电感值和实验结果对比误差仅为8.9 nH。结果表明所提出的杂散电感提取方法可以用于器件封装及测试平台的杂散电感的提取。

关键词： 无线充电器   EV   电动汽车   无线功率传输   电池充电   续航里程   安森美半导体   高能效   电池管理   智能功率模块   MOSFET   功率水平  

摘要： 随着动力传动系统从内燃机(ICE)向电动机发展,汽车行业正在经历史上最大的变化时期之一。虽然现代电动汽车(EV)续航里程方面的技术进展显著,但对于采用的最大障碍之一是消费者担心受困于电池没电,即所谓的'里程焦虑'。为应对这一挑战,大多数努力都致力于让电池变得更好、车辆更高能效,但其它方法也开始崭露头角。其中最有意思的就是为EV无线充电的能力。

关键词： 充电机   碳化硅器件   辅助变流器  

摘要： 碳化硅器件因其具有高温、高频和低损耗的性能优势,可有效提高系统效率、降低能耗、减小系统体积和重量,在轨道交通领域有广阔的应用前景。为满足轨道交通日趋智能化、小型化、轻量化的发展需求,针对导轨车辅助变流器,研究了基于一种高压全碳化硅MOSFET器件的导轨车辅助充电机,对碳化硅移相全桥充电机进行参数设计,并通过实验验证碳化硅充电机在效率和温升方面的优势,证明了高压碳化硅应用的可行性。

关键词： 纳米MOSFET   小信号等效电路   参数提取   毫米波   双端口网络   散射参数  

摘要： 为了有效地表征45nm MOSFET毫米波频段下的电学特性,研究了其高频等效电路的建模方法。基于45nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析,通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性,提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法,以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性,并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性,以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较,验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性,并表征了45nm器件的偏置依赖性。

关键词： SiC   MOSFET   SPICE   1模型   仿真   LTspice  

摘要： SiC MOSFET与Si MOSFET相比,具有耐高压、耐高温、频率快等诸多优点,得到了越来越广泛的应用。SPICE模型作为含SiC MOSFET电路仿真分析的基础,对其进行研究十分必要。以SPICE 1模型为例,介绍了基于LTspice的SiC MOSFET建模流程,通过MOS、体二极管、PCB寄生参数等建模过程,完成了SiC MOSFET SPICE 1模型的建立,并通过仿真分析验证了所建立模型的正确性。