课程文献中心 更多>>

关键词： 隧穿场效应晶体管(TFET)   总剂量(TID)效应   开关特性   能带结构   阈值电压  

摘要： 对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOSFET的能带结构、载流子密度等关键因素的变化。仿真结果表明:两种器件在受到较大辐射剂量时(1 Mrad (Si)),TFET受辐射引起的固定电荷影响较小,仍能保持较好的开关特性、稳定的阈值电压;而MOSFET则受固定电荷的影响较大,出现了背部导电沟道,其关态电流增加了几个数量级,开关特性发生了严重退化,阈值电压也严重地向负电压偏移。此外,TFET的开态电流会随着辐照剂量的增加而减小,这与MOSFET的表现恰好相反。因此TFET比MOSFET有更好的抗总剂量效应能力。

关键词： 酒精浓度检测仪   学习兴趣   德育渗透   自主命题  

摘要： 欧姆定律及其应用是初中物理的核心内容之一.本文以酒精浓度检测仪在'欧姆定律的应用'教学中的巧妙使用为线索,对创设情境,引入酒精浓度检测仪巧妙导入新课,激发兴趣;通过查'酒驾',进行德育渗透;自主命题,提升创新能力等提出了笔者的见解.

关键词： 热可靠性设计   MOSFET   三维集成技术   功率器件   硅通孔布局   散热   热阻降低  

摘要： 基于三维集成技术的功率MOSFET器件,在发热量大和散热难的双重压力下,热可靠性设计凸显得尤为重要。文中采用硅通孔散热方式,在三维功率器件内嵌入大量的散热硅通孔,以降低芯片内热阻,疏导功率器件产生的热量,保证器件有源区结温低于极限安全结温,可有效提高芯片的热可靠性。以100V,60A的功率VDMOS器件为研究对象,以提高芯片的热可靠性为目的,合理设计和充分优化了三维功率MOSFET器件的版图和散热硅通孔的布局。基于多物理场分析软件开展了大量的热可靠性仿真分析工作,并流片验证了设计的正确性。

关键词： 混合动力汽车   MOSFET   Schweizer   嵌入式  

摘要： 英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48V系统的性能,同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。通过芯片嵌入式工艺,功率MOSFET将不再焊接到电路板上.

关键词： 配电网   MOS管   控制模块   开关电器  

摘要： 针对配电网存在运行环境差可能导致电机堵转以及传统的继电器及接触器控制回路存在速度慢、故障率高等问题,提出以MOS管做为控制开关。发挥MOS管电压控制、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快的特点,通过控制程序实现对开关电器的智能化控制,解决了传统控制配电网开关回路触点寿命及潮湿环境造成的影响,符合智能配网建设的需求。

关键词： 回路电流法   列选主元LU分解法   配电网潮流计算:多线程  

摘要： 随着电力系统规模的不断扩大,配电网节点数越来越多,对配电网潮流算法的计算速度和收敛性提出了更高的要求。为此,提出一种基于并行加速LU分解改进回路电流法的配电网潮流算法,该算法采用回路电流法进行建模求解,利用列选主元LU分解法求解病态线性方程组,并根据列消去树、关联列修正关系和多线程计算原理设计了潮流算法,实现了潮流计算的多线程的并行加速。通过对不同规模的配电网算例进行分析,结果表明所提算法计算速度快、适用性强、内存占用低,在大规模配电网潮流计算中有良好的计算效果,能够满足大型配电网在线潮流计算的要求。

关键词： 开关电源   电源设计   MOSFET   Power   Integrations   IC  

摘要： 深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司近日发布一系列集成了900V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。

关键词： 评价   证据   精准教学  

摘要： 学习不是为了评价,评价是为了促进学习。"学为中心"的评价指向下,教师不仅要关注教什么,怎么教,更要关注学生从哪里开始学,学得怎么样。从哪里开始学,需要前测,需要对前测证据进行分析;学得怎么样,需要在教学过程中镶嵌评价任务,需要对后测证据进行分析。把评价镶嵌在各个环节,发现问题、及时改进,从而精准促进学生学习。

关键词： SiCMOSFET   雪崩耐量   UIS测试  

摘要： 针对SiCMOSFET的雪崩特性,利用UIS测试原理,通过功率半导体雪崩耐量测试台,对几大主流制造商的SiCMOSFET器件进行了毁坏性和非毁坏性的雪崩测试。通过测试,发现了同步信号高频震荡和雪崩电流采样不可靠的问题,提出了外接电流探头、与同步信号隔离的方法,改善了雪崩测试的可靠性。

关键词： 温度场   MOSFET   功率损耗   数值模拟  

摘要： 本文以电力电子技术MOSFET工作原理为基础,运用有限元软件Fluent进行温度场数值模拟研究,探讨MOSFET作为电机驱动器逆变功率器件时产生的能量损耗的热传导过程,通过改变冷却水道的尺寸得出水道截面的高度和宽度对MOSFET温升的影响。研究表明:MOSFET管温度对水道截面的高度比较敏感,水道截面的宽度对MOSFET管的温度影响不大,水道截面积越小,压力损失越大。