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关键词： 总剂量辐射   功率管   华夫饼结构   漏电流  

摘要： 功率管在空间辐射环境下会发生沟道边缘漏电,导致功率集成电路性能退化。介绍了一种0.35μm单片集成(BCD)工艺下基于华夫饼结构的全新功率管版图,并对普通条形栅结构N沟道功率管和新型华夫饼结构N沟道功率管进行了Co-60辐射实验。总剂量辐射使N沟道条形栅功率管发生漏电。辐射实验结果表明,经过无边缘化处理的华夫饼结构可以有效控制总剂量辐射诱发的漏电,能够大幅提升功率管的抗总剂量辐射能力。

关键词： 电力电子变压器   SiC   MOSFET   主动均流  

摘要： 本文中作者提出了一种新型的基于耦合电感的多路SiCMOSFET并联均流策略,对所提方法的均流原理和参数进行了分析,并通过仿真和试验验证了方案的可行性。

关键词： 简单潮流算法   等效模型   戴维南定理   电流分配规律   叠加定理  

摘要： 为了更好地处理贯通同相牵引供电系统中的潮流分析问题,本文提出了一种避免复杂矩阵计算的简单潮流算法。通过探讨贯通同相牵引供电系统中的等效模型,将同相补偿装置等效为受控电流源后采用戴维南定理对该等效模型进行分析;通过推导贯通同相牵引供电系统中列车节点、牵引所端口的电流分配规律进行单列车状态下供电系统的快速潮流计算,再通过叠加定理处理多列车状态下的潮流计算。

关键词： MOSFET   栅极驱动电路   Vishay  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET-SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10V条件下最大导通电阻降至4mW,采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK 1212-8S封装。

关键词： 驱动电路   高压侧   低电压   驱动芯片   MOSFET   MOS   双电压   驱动控制电路  

摘要： 本文针对MOSFET在双电压条件下的使用,提出了一种新型的基于电位等效的MOSFET驱动电路,具有结构简单、稳定可靠等优点。通过具体分析电路原理,在multisim软件上对该控制电路进行了仿真验证,并搭建实验电路进行了验证,实验结果和仿真结果一致,满足设计要求。

关键词： 多芯片功率模块   并联不均流   功率模块布局   固态功率控制器  

摘要： 针对多芯片功率模块MCPMs(multi-chip power modules)从功率模块布局设计角度对碳化硅SiC(sili-con carbide)MOSFET的并联不均流进行了研究。理论分析了造成SiC MOSFET并联不均流的原因,在忽略器件自身差异的情况下,重点分析了非对称布局对功率管并联不均流的影响。在此基础之上,以集成化大功率固态功率控制器SSPC(solid-state power controller)为背景,提出了3种适用于大功率SSPC集成功率模块的非对称布局,分别对3种布局的不均流电流进行了理论分析,并利用Ansoft Q3D提取寄生参数在Saber中对模块的动态开关过程进行仿真。仿真结果表明,通过合理的布局可以减小非对称布局引起的寄生电感不对称对SiCMOSFET并联不均流造成的影响。

关键词： 初中物理教学   动手操作   物理知识   太阳能热水器   物理反应   应用策略   欧姆定律  

摘要： 物理是一门以观察、实验为主的学科,要求学生具有缜密的思维逻辑和较强的动手操作能力.但是从目前的教学现状来看,许多学生只注重学习文字叙述的实验过程及实验所产生的现象和结果,很少积极主动地参与实验操作.虽然学生能在较短的时间记住相关实验所涉及的知识点,但是时间一长,由于缺乏必要的操作,印象会逐渐变浅.所以,为了强化学生对物理知识的感知能力,教师要善于带领学生从不同的实验类型出发,在实验操作中加深对知识的印象,也能进一步感受到物理这门学科的神奇.

关键词： MOSFET  

摘要： VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面贴装PowerPAK~?SO-8L封装的N沟道器件,扩充其600V和650VE系列功率MOSFET。VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有低封装电感。

关键词： 深度学习   预评估   先期的知识   深度加工  

摘要： 文章针对初中物理当前存在的知识堆积式的单元复习情况,结合欧姆定律的单元复习阐述了通过终极目标的制定、课前的预评估、营造积极的学习文化、巧妙激发先期知识、设计问题链等步骤解决深度学习的问题。

关键词： 栅极驱动电路   功率MOSFET   导通电阻   栅极电荷   首款   Power  

摘要： 器件专门用于标准栅极驱动电路,栅极电荷低至22.5 ***为34.2nC,采用PowerPAK■1212-8S封装宾夕法尼亚、MALVERN-2019年8月12日-日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宜布,推出新款60 V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET--SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mΩ,采用热增强型3.3mm×3.3 mm PowerPAK■1212-8S封装。