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关键词： 物理学史   科学方法   欧姆   欧姆定律   电阻   电张力  

摘要： 目前欧姆定律相关的中文物理学史资料不够全面.通过文献比对、概念溯源、理论推演等方法可找寻出欧姆在3个探索阶段中用到的一些科学思维方式和科学研究方法,并初步发掘其育人功能.有利于物理教师把握欧姆探索过程和思维演进的全貌.

关键词： 导通电阻   英飞凌科技   功率MOSFET   电机控制   电动汽车   稳健性   TM   功率密度  

摘要： 2024年4月15日,英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET技术——OptiMOS^(TM)780V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5×6mm²SMD封装。这款OptiMOS^(TM)780V产品非常适合即将推出的48V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造,包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48V电机控制(例如电动助力转向系统(EPS))、48V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。

关键词： 拔尖创新人才   问题解决   深度备课   欧姆定律  

摘要： 在集体备课前,主备人根据教学经历或困惑设计几个核心问题,让组内教师事先思考准备;在集体备课时,通过讨论、实验等形式解决或理解这些核心问题,形成开放性的深度备课资源,提供多元化的个人自备思路,能切实提高集体备课的有效性,以适应培养拔尖创新人才开放性思维的需要.

关键词： 屏蔽栅沟槽型场效应晶体管   同步整流电路   电压尖峰震荡   热氧结构   湿法刻蚀  

摘要： 针对同步整流电路中屏蔽栅沟槽型场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET),在工艺加工过程中形成的热氧结构导致控制栅极电压尖峰震荡幅度大、电路能量转换效率低等问题,提出了一种SGT MOSFET电压尖峰震荡的优化设计。采用电路仿真的方法,以分析电容对电路电压开关震荡的影响;采用拉偏结构参数的方法,以确定器件的工艺参数;采用增加湿法刻蚀屏蔽栅多晶硅和注入多晶硅两道工艺的方法,以消除热氧结构,减小器件电容,从而减小器件在电路中的电压尖峰震荡幅度和时间,提升电路的能量转换效率。实验结果表明,优化设计后的栅漏电容减小了约43%,控制栅极电压的尖峰震荡降低了约56%,电路能量转换效率提升了约4.6%,器件剖面扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)图表明,所提设计方法可以消除SGT MOSFET的热氧结构。

关键词： 碳化硅   晶圆缺陷   栅氧化层缺陷   高温栅偏实验  

摘要： SiC以其耐高压,高频,高温和高功率密度的材料特性,广泛应用于高效电能转换领域。而其栅氧化层可靠性是评价器件可靠性的重要部分。本文根据SIC MOSFET结构特性和栅氧化层缺陷的形成机理,对一批应力筛选实验失效的样品进行研究,提出了一种针对SIC-MOSFET的栅氧化层缺陷检测方法。方法使用了正面和背面失效EMMI定位了相同缺陷位置,同时利用聚焦离子束分析等方法找到了栅氧化层物理损伤点,对碳化硅晶圆级别异物缺陷完成了成分分析,验证了晶圆级栅极氧化层异物缺陷对于栅氧化层质量和可靠性的影响,对于SiC MOSFET的早期失效研究有着重要的参考作用。

关键词： 任务驱动   生本课堂   欧姆定律  

摘要： 通过情境引学、评价导学、合作促学、布白激学等策略设计“欧姆定律的应用”的生本课堂教学方案,以学生为主体,以任务为核心,在民主平等、激励和谐的教学环境中,助力学生在真实的任务情境中探索和发现知识,在任务解决中主动运用知识、掌握技能、发展思维.

关键词： SOP8封装   MOSFET   热阻   热应力  

摘要： 为研究SOP8双MOS芯片结壳热阻与封装可靠性,建立了封装芯片模型。运用有限元软件通过构建热-结构模块仿真了在EME-E115与CEL-1702HF两种塑封材料下的芯片结壳热阻情况,分析了热量在封装芯片内部的主要传递路径。对比分析了两种塑封仿真下塑封料外壳体、MOSFET、引线框架的变形与应力情况,研究了粘接层厚度变化对MOSFET最大等效应力的影响。研究结果表明,在SOP8双MOS芯片的内部,热量主要是沿着引线框架基板向塑封料底部进行传递。粘接焊料增厚50μm,MOSFET结温增幅未超过0.1℃,结温点到塑封料底面中心的热阻升高约1.3℃·W^(-1)。相比于EME-E115塑封料,使用CEL-1702HF塑封料进行封装仿真时,可使功率MOSFET的结壳热阻降低约20%,且芯片封装体在变形、应力方面均具有明显优势。增大粘接焊料的厚度可以有效减小MOSFET的应力。EME-E115与CEL-1702HF塑封下的MOSFEF最大等效应力在粘接焊料厚度分别超过40μm和50μm后均出现了返升的仿真结果。

关键词： 英飞凌科技   MOSFET   功率系统   能量转换   沟槽栅   质量和可靠性   TM   低碳化  

摘要： 2024年3月12日,英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新的CoolSiC^(TM) MOSFET 650V和1200V Generation2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%,不仅提升了整体能效,更进一步推动了低碳化进程。

关键词： 习题课   一题三做   讲题策略  

摘要： 讲题是初三复习课的重要教学形式,通过讲题,教师可以帮助学生分析问题、解决问题、厘清思路、掌握解题方法、思维订正以及提高学习效率。本文通过紧扣课程、追根溯源、一题三做、提炼总结来探讨习题课讲评策略。

关键词： 欧姆定律   电流表   电压表   伏安法   电表   测电阻   如何应对  

摘要： 常用的测电阻的方法是“伏安法”,它是将待测电阻接入电路,用电压表和电流表分别测出该电阻两端的电压和该电阻中的电流,然后利用欧姆定律计算出阻值的方法.此方法中既要用电压表也要用到电流表,但在实验时一旦某一电表出现故障,或只提供一只电表,我们该如何应对呢?下面我们一起来探究利用单表测电阻的方法.