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关键词： 思维导图   MOSFET   BJT   三极管  

摘要： MOSFET和BJT三极管是"模拟电子技术"课程中的重难点,本文探讨了思维导图法在三极管教学中的应用.通过帮助学生使用思维导图总结MOSFET和BJT三极管的教学内容,化繁为简,使三极管的重难点内容及相互关联性一目了然,有效地降低了学生的理解难度,改善了教学效果.

关键词： 功率MOSFET器件   电参数测试   寄生电容   栅极   IGSS   延迟时间   测试程序   测试值  

摘要： 在进行大功率MOSFET器件的IGSS参数测试时,时常会出现测试值随着采样延迟时间的增加而减小的情况,该种情况极易造成合格器件的误判。本文通过对MOSFET结构的分析,从原理上解释了上述现象的成因,并且提出了一种可以有效避免,由于栅极寄生电容干扰导致测试结果不准确的测试程序编写方法。

关键词： 分布式电源   低电压穿越   故障电流计算   逆变器并网   叠加定理  

摘要： 针对含分布式电源的配电网故障电流计算通用性差或计算量大的问题,提出一种通用、计算量小的故障电流计算方法。将分布式电源分为机组并网与逆变器并网两类激励源,考虑低电压穿越要求,给出分布式电源的故障特性。在此基础上,根据叠加定理,将线性故障配电网分为不同激励源作用下的两部分,对两类激励源作用下的配电网分别进行故障电流分量计算,叠加求得总故障电流。计算过程中,对逆变器并网激励源产生的故障电流分量采用迭代算法进行求解。编制了所提的算法程序,计算实际配电网的短路电流。计算结果表明,所提通用故障电流计算方法正确、有效。

关键词： SiC   MOSFET   SiCSBD   Matlab   Pspice   建模  

摘要： 本文详细的叙述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模过程,SiCSBD由于结构简单,本文根据Pspice Referenceguide中提到的二极管物理参数提取理论,详细叙述参数提取和温度特性拟合。从而建立一个简单实用的器件模型。借助于功率分析仪对SiC MOSFET进行参数测试。运用matlab进行导通电阻,阈值电压,跨导等相关参数拟合,然后进一步拟合出输出输入特性曲线。对SiC MOSFET的极间电容做最简单的处理,且考虑极间电容随VDS两端电压的变化而变化。最后对比不同温度下的SiCMOSFET器件实测数据和仿真数据。仿真结果在满足精准度的同时并且有很好的收敛性。

关键词： 碳化硅   漏源电压   短路保护  

摘要： 漏源电压检测作为一种成熟的检测方法,广泛用于碳化硅金属-氧化物半导体场效应管(SiCM0SFET)短路保护。从兼容性角度考虑,为满足不同工况下的短路保护要求,检测电路内的消隐时间需从大设置,这势必会影响保护速度甚至无法有效保护器件。在此分析了传统漏源电压检测中消隐时间设置的机理,提出一种能随不同工况改变消隐时间的漏源电压检测电路。内置的漏源电压欧姆区检测单元使开通瞬态下的检测消隐时间随工况改变,加快负载故障(FUL)检测速度;栅压检测单元利用栅极电压在短路时的特性加快硬切换故障(HSF)检测速度,达到抑制短路电流、有效保护器件的目的,并通过实验验证了该方法的可行性。

关键词： 功率MOSFET   英飞凌   散热性能   工程成本   功率密度   导通电阻   反向恢复   缓冲电路  

摘要： 英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiCMOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此外,通管壳(Junction to Case (RthJC))的较低热阻提供了出色的散热性能,从而带来更低的满载运作温度。较低的反向恢复电荷(Qrr)通过显着减小电压过冲来提高系统可靠性,从而最大限度地减少对缓冲电路的需求,同时也减少了工程成本和工作量。

关键词： 物理卷   电源电压   《招生考试通讯》   电流表   欧姆定律   电压表   定值电阻   招生考试  

关键词： FPGA   MOSFET   电火花加工   脉冲电源  

摘要： 通过对RC式脉冲电源和晶体管式脉冲电源的综合比较,提出一种基于FPGA的晶体管式微细电火花加工脉冲电源,该电源结合FP GA开发板和IR2101专用集成半桥驱动器,驱动半桥式结构的功率MOSFET,电源经实验验证后,在加工精度、效率及表面粗糙度等方面表现良好。经测试,该电源最高频率可达1 MHz,输出脉宽1~101 ms可调,开路电压1~200 V可调,同时结合微细电火花加工的实际需求,可以实现粗、半精、精三种加工形式。

关键词： 栅电流   浅沟槽隔离   隧穿   能带结构  

摘要： 随着工艺制程的不断进展,浅沟槽隔离技术(STI)成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离(SA)晶体管(MOSFET)器件的栅和衬底电流,分析了180nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA的缩小呈现先缩小后增大的趋势,衬底电流在常温以及高温下都随着SA的减小而减小。文章用应力机制导致的迁移率以及载流子浓度的变化对栅和衬底电流的变化趋势进行了分析,通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM)模拟了STI对衬底电流的影响,为设计人员进行低功耗设计提供了衬底电流模型。

关键词： Hybrid module   SiC device   Si IGBT   SiC MOSFET  

摘要： SiC Hybrid switch(HyS)combines low conduction loss of Si IGBT and low switching loss of SiC MOSFET,and the cost is closer to that of Si *** promising high performances of HyS will bring considerable achievement in terms of enhancing power density of a converter *** reviewing the gate drive pattern,gate drive hardware,current sharing,module design,converter design,and cost,this paper introduces state-of-the-art SiC HyS.