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关键词： 驱动电路   功率MOSFET   载波调制:高压隔离   脉冲电子束焊接  

摘要： 为了改善传统MOSFET隔离驱动电路传输信号频率变化范围小、占空比低、波形失真严重等问题,以MOSFET开关管在脉冲电子束焊接电源中的应用为出发点,采用载波调制与脉冲变压器隔离的方法设计了一种频率、占空比均可大范围调节的MOSFET驱动电路,并对电路的工作原理和参数设计进行了详细分析。设计的MOSFET驱动电路可实现60 kV的高电压隔离,输出驱动信号上升时间为0.3μs,下降时间为1.8μs,传输的PWM脉冲信号不受占空比范围限制,可传输占空比为0~100%的PWM脉冲信号。搭建测试平台对驱动电路进行了测试,结果表明该驱动电路能够满足0~20k Hz脉冲电子束焊接电源脉冲控制信号传输与隔离的需求,为MOSFET功率开关管在脉冲电子束焊机等高电压大功率领域的广泛应用奠定了技术基础。

关键词： 碳化硅MOSFET   芯片筛选   并联   开关能量  

摘要： 由于碳化硅MOSFET芯片生产制造工艺尚不够成熟,导致芯片参数分散性很大,使其在并联应用时的开关能量产生很大的差异。特别是在高频应用中,开关能量的不均衡将造成芯片发热分布不均衡,并严重影响碳化硅MOSFET模块的可靠性。该文测试获得30个单芯片碳化硅MOSFET器件参数的分散性,建立单芯片碳化硅MOSFET器件并联动态特性测试实验平台和单芯片碳化硅MOSFET器件并联的等效电路计算模型。分别通过改变并联器件的转移特性曲线、导通电阻、栅极内阻和极间电容的差异数值,获取并联器件开关能量和开通瞬态峰值电流的不均衡度。在此基础上,提出基于开关能量均衡的并联碳化硅MOSFET芯片的筛选策略,并通过实验对计算模型芯片筛选策略进行验证。计算结果和实验结果均表明,以瞬态电流均衡为目标的并联碳化硅MOSFET芯片筛选策略,并不能够可靠地保证并联芯片开关能量的均衡,在该文所提筛选策略基础上,可以利用芯片参数对开关能量的补偿效应,实现并联碳化硅MOSFET芯片开关能量的均衡。

关键词： 科学园   新产品发布会   深圳市南山区   半导体   功率器件   MOSFET   量产   动态参数  

摘要： 2019年9月27日,深圳市锐骏半导体(***)在深圳市南山区科兴科学园会议中心召开了他们12英寸MOSFET成功投产的发布会,2019年12英寸新产品发布会,这是首家国内半导体设计公司能在12英寸上面量产了MOSFET。填补国内设计公司在这一领域的空白,值得庆祝与期待。在发布会上,深圳市锐骏半导体股份有限公司董事长黄泽军上台进行致辞,他表示,此次12英寸晶圆的投产成功,预示12英寸功率器件已经登场,12英寸将是未来三年内高端MOSFET功率器件主流投片平台,锐骏公司提前布局,值得期待,值得投入更多资源去研发出更多差异化结构,极致优化的工艺。12英寸的亮点主要体现在光刻,刻蚀的优势,在器件各个结构尺寸精确度大幅提升前提下,器件各个静态,动态参数的一致性与性能指标极为卓越。

关键词： 等效节点   稳态   电力系统  

摘要： 伴随船舶电力系统容量的不断提高,网络结构复杂性愈加明显,所以船舶中压交流系统的广泛应用重要性逐渐突显出来。长期以来,传统船舶交流电力系统所采用的短路电流计算方法对很多内容忽略,所以很难满足具体要求,特别是环型与网型供电网络的存在,使得短路电流计算方法不得不改进与创新。在构建船舶电力系统稳态数学模型的过程中,将等效法与节点电压方法应用于其中,不仅可以全面优化模型功能与作用,同样可以进一步改进船舶电力系统的性能,为船舶海上航行提供必要保障。

关键词： 配电器   优化设计   MOSFET   印制板间电连接器   继电器对称安装  

摘要： 针对目前传统中小功率卫星的配电器,探讨研究了配电器优化设计方案,结合型号工程研制提出了采用MOSFET代替传统的三极管作为主动温控开关器件、多路热控电路编组设立安全开关实现故障隔离、采用安装于机械结构上的印制板间电连接器实现各模块间信号互联、大功率继电器在结构壁上前后对称安装等关键技术,优化了配电器电路、结构和工艺设计,有效提高了配电器可靠性、安全性、可制造性和可维修性。

关键词： 功率半导体   功率晶体管   氧化镓   击穿电压   缺陷密度   外延层   MOSFET   击穿场强  

摘要： 位于柏林的费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)开发了具有创纪录价值的氧化镓功率晶体管。仍在研发中的β氧化镓正在引起人们的轰动,用于功率半导体应用。它是一种宽带隙技术,这意味着它比传统的基于硅的设备更快,并且提供更高的击穿电压。其他宽带隙技术正在出货。在当今的功率半导体市场中,氮化镓(GaN)和SiC MOSFET等两种宽带隙型器件正在不断增加。结晶β氧化镓也很有希望。它的带隙为4.8-4.9eV,击穿场强为8MV/cm。这是硅的3,000倍以上,是SiC的8倍以上,是GaN的4倍以上。费迪南德·布劳恩研究所(Ferdinand-Braun-Institut)的研究人员设计了一种β-Ga2O3-MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该研究公司从莱布尼兹晶体生长研究所获得了氧化镓衬底。衬底具有优化的外延层结构,从而导致较低的缺陷密度水平和良好的电性能。

关键词： SiC   MOSFET   建模   开关振荡   高频   SiC   光伏并网逆变器  

摘要： SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势,但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后,由于开关振荡的存在,可能导致高频下的并网电流波形质量下降,因此需要建立精准的模型来为SiC MOSFET在光伏逆变器中的应用提供指导。目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真环境建立的,不能用于包含复杂的电路拓扑和控制算法的仿真研究。基于Saber环境提出一种可以将SiC MOSFET与光伏逆变器结合的模型,通过双脉冲实验得出SiC MOSFET的器件特性,对SiC MOSFET的静态特性和非线性电容进行建模。最后将模型运用到光伏并网逆变器中,将仿真结果与搭建的光伏并网逆变器实验平台实测结果进行对比,并对SiC光伏并网逆变器在不同开关频率情况下的性能进行分析和研究,验证了模型的准确性和适用性。

关键词： Power   electronic   conversion   Flexible   AC   transmission   systems(FACTS)   Soft-switching   SiC   MOSFET   Distributed   energy   resources  

摘要： Power electronic conversion plays an important role in flexible AC or DC transmission and distribution systems,integration of renewable energy resources,and energy storage systems to enhance efficiency,controllability,stability,and reliability of the *** efficiency and reliability of power electronic conversion are critical to power system *** way to enhance the efficiency and reliability of power electronic conversion is soft-switching *** paper introduces a generic zero-voltage-switching(ZVS)technique based on silicon carbide(Si C)power *** the proposed ZVS technique,all semiconductor switching devices in a power converter can realize ZVS ***,the applications of the ZVS technique in different power electronic conversion systems such as photovoltaic inverters,wind power systems,energy storage systems and flexible AC transmission system devices are ***,as an example,the operation performance and efficiency improvement of a Si C metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)ZVS back-to-back converter are discussed.

关键词： 功率U-MOSFET   Silvaco仿真   沟槽深度   氧化层厚度   导通电阻   击穿电压  

摘要： U-MOSFET是在LDMOS和VDMOS基础上发展起来的一种功率半导体器件,具有大电流和低导通电阻、无少子存储效应、开关速度快、可工作于较高频率等优点,结合此类优点,利用Silvaco软件对U型槽深度对阻断特性和通态特性的影响进行仿真分析。通过观察仿真中沟槽深度的增加对器件阻断电压、导通电阻等的影响,综合探讨了在对U型槽底部氧化层厚度以及沟槽深度的调整中,考虑到对击穿电压和特征导通电阻的影响而需要做出的折衷。

关键词： 伏安法测电阻   伏安特性曲线   导体电阻   电学实验   电阻阻值   欧姆定律   外接法   内接法  

摘要： 伏安法是中学生测量电阻的基本方法,高考考试说明要求的电学实验"描绘小灯泡的伏安特性曲线(实验、探究)""决定导体电阻的因素(实验、探究)"都涉及伏安法,可见,用伏安法测电阻是高中学生必须具备的基础知识和基本技能。伏安法是用电流表测量流过待测电阻的电流,电压表测量待测电阻两端的电压,然后通过利用部分电路欧姆定律R=U/I计算出待测电阻的阻值,达到测出待测电阻阻值的目的。