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关键词： SiC   MOSFET   短路保护   去饱和检测   降栅压  

摘要： 随着宽禁带半导体器件的发展,SiC MOSFET被广泛应用于工业领域,其短路保护也越来越多地为人们所重视。本文首先对SiC MOSFET的短路类型进行讨论,给出不同短路类型下的主要电路波形;然后本文对近年来SiC MOSFET短路检测与保护方法进行概述,详细介绍去饱和检测法、电感检测法、门极电压检测法以及基于罗氏线圈的短路检测法的原理,归纳总结各种检测方案的优缺点;最后提出一种降栅压短路保护电路,实现了SiC MOSFET在短路情况下的两级快速保护。

关键词： 电流有效值   交流电   正弦交流电路   二极管  

摘要： 二极管的特点是具有单向导电性。理想二极管的正向电阻为0,反向电阻无穷大。这样会使得含二极管支路中的全波正弦电流变成半波正弦电流。在这种情形下,如果套用完整正弦交流电的结论计算电流的有效值及功率,往往会陷入错误的结论而不能自拔。

关键词： 地铁车辆   碳化硅   永磁电机   逆变器   异步电机   轴控   MOSFET   IGBT  

摘要： 针对一种适用于我国标准地铁车辆的新一代牵引系统进行研究,此系统采用碳化硅(SiC)功率模块、永磁电机、新一代轴控牵引控制等新技术,以节能、轻量化、高可靠性、高可用性和低噪声为开发理念,并与上一代牵引系统进行对比,结果表明:新一代牵引系统可以在节能、轻量化、可用性等方面为地铁牵引应用带来巨大的效益。相对于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)逆变器、三相交流异步电机、车控牵引系统,新一代牵引系统可实现牵引节能20%,系统最大质量减小19%,以及显著提高牵引可用性的要求。

关键词： 损耗分析   栅极驱动   同步BUCK变换器   MOSFET选型  

摘要： 介绍了一种以损耗分析为依据的MOSFET选型方法。基于栅极驱动的二阶模型对不同栅极电阻下MOSFET导通时间产生的损耗进行了对比分析,同时完成了印制板寄生电感、开关频率等栅极驱动影响因素的仿真验证。对同步BUCK变换器中MOSFET选型应用进行分析与实验,结果表明该方法可用于工程实践中MOSFET选型及驱动设计分析,可以有效提高MOSFET设计的可靠性。

关键词： 信息化教学设计   基础课学习   叠加定理   电工仪器   直流电阻   逻辑推理能力   电路分析   基本使用方法  

摘要： 1.课程内容分析1.1教学背景《电路基础》课程属于电子电气类专业的一门必修专业基础课程.通过本课程的学习,学生能比较系统地掌握电路分析中的基本知识、基本理论与基本方法,并掌握常用电工仪器、仪表的基本使用方法,为《模拟电路分析与实践》、《数字电路分析与实践》等后续专业基础课学习打下基础,同时学生的思维能力、逻辑推理能力、理论联系实际能力得到进一步提高.叠加定理是直流电阻电路重要分析方法之一,该定理的重点是让每个电源单独作用分别求某条支路的电压或电流再进行叠加.本次课程让学生通过完成任务单来体验叠加定理的应用步骤,体现"学中做"、"做中学".

关键词： IGBT   电力电子   MOSFET   转移特性   P阱   掺杂  

摘要： IGBT即绝缘栅双极型晶体管,近年来发展迅猛,作为新一代的电力电子器件已经得到广泛应用。随着应用领域的不断拓展,对器件的性能也提出了更高的要求。作为具有表面MOSFET结构的器件,研究人员一直致力于优化其结构参数,以期获得更加优良的特性。本文通过ISE仿真软件,模拟了器件的表面MOS结构,对于器件的转移特性进行了仿真研究。结果表明,要想获得理想的转移特性,必须对表面MOS结构中P阱区的掺杂及栅氧化层的厚度进行优化。

关键词： SiC   MOSFET   单次脉冲雪崩冲击   重复脉冲雪崩冲击   失效模式   失效机理  

摘要： 在高开关速度di/dt和寄生电感的耦合下,SiC MOSFET器件极易进入雪崩工作模式。针对现有单一实验失效分析难以揭示不同雪崩冲击模式可能引起不同失效模式的问题,提出在单次和重复雪崩冲击下SiC MOSFET器件失效机理的实验与仿真研究。首先,搭建SiC MOSFET非钳位电感(unclamped inductive switching,UIS)雪崩实验平台及元胞级仿真模型。其次,基于单次脉冲雪崩冲击实验建立SiC MOSFET对应失效模型,获取单次脉冲下失效演化中元胞电热分布规律。最后,基于重复雪崩冲击失效实验,建立SiC MOSFET对应失效演化模型,仿真性能退化特征参数,获取重复雪崩冲击下失效演化过程的电场分布规律。实验和仿真表明,单次脉冲雪崩冲击下寄生BJT闩锁造成SiC MOSFET器件失效;而氧化层捕获空穴形成氧化层固定电荷会导致器件后期阈值电压降低,引起重复雪崩冲击下器件失效。

关键词： MOSFET管   贴片   速查表   Si   封装形式   场效应管   P沟道   N沟道  

摘要： 8脚贴片MOSFET管外行与8脚贴片IC相同,多采用SOP-8、TSSOP-8、PowerPAK SO-8封装形式,如图1、图2所示。这类MOSEFI管内知一只或者两只N沟道或P沟道场效应管。

关键词： MOSFET   驱动器   测试方法   失效分析  

摘要： 为了保障军工、航天设备的可靠性,必须对其采用的高压大电流金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动器器件进行可靠性筛选测试[1-2]。介绍了MOS场效应晶体管制作的门电路驱动器的基本原理以及高压大电流MOSFET驱动器电路的主要参数和测试方法。重点介绍了测试设备在测试此类器件的电源电流过程,如果采用不同种类的仪表可能会产生瞬间大电流,造成器件击穿损坏的问题,面对器件这样的黑匣子,依据被测器件测试数据推理,合理解释测试过程中发生的问题,并对该类器件的击穿机理进行了失效分析,提出了如何在器件电源电流测试中避免造成器件损坏的方法,利用此方法解决此类器件的测试开发。