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关键词： 欧姆定律   初中物理   电流表   电压表   教学实践与思考  

摘要： 欧姆定律是电学知识中最为重要的知识点,也是学生进行各种电学问题分析探究的理论基础.初中阶段的物理课堂上,学生会初步接触到欧姆定律,不仅会对这一电学知识的原理进行分析探究,还会学习这一定律在各种实际问题中的典型应用.在初中物理课堂上,教师给学生讲解欧姆定律时可以转变传统的教学模式,将学生的实验探究作为主导.

关键词： 核心素养   科学探究   教学设计  

摘要： 科学探究是物理学科核心素养四个方面之一,常态课(非学生分组实验课)在设计教学的过程中融合科学探究能力的培养,重视提出问题建构模型,强调实验操作获取证据,依据证据做出合理解释、提供交流讨论的空间以促进科学探究能力的形成。从生活中发现问题,并对问题做出物理学意义的科学探究,让发现问题科学探究成为学生的一种生活习惯,这就是素养!

关键词： 宽带隙半导体   理论极限   MOSFET   替代技术   机械特性   关注度   SiC   电源  

摘要： 传统硅基MOSFET技术日趋成熟,正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好,能够提高MOSFET的性能,是一项关注度很高的替代技术。

关键词： 总辐照剂量   绝缘体上硅   模型   浅沟槽隔离  

摘要： 总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOIMOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130nm部分耗尽(PD)SOINMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIMSOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长比的器件退化特性的实验结果对比,该模型能够准确反映器件辐射前后的漏电流特性变化,为器件的抗辐射设计提供参考依据。

关键词： 欧姆定律   DIS实验   电极电势   极化   铜锌原电池  

摘要： 基于DIS技术,利用原电池实验探究闭合电路欧姆定律的过程中,发现实验结果与理论差别较大:随着外电阻的减小,闭合电路的内、外电压之和小于电源电动势.据此,结合理论分析与实验探究,总结得出该问题的产生原因——极化.

关键词： 电阻   串联   并联   探究教学  

摘要： 当前的课堂教学中,还有很多教师采用传统的教学方式,这本来就没有什么问题,因为教学有法,但教无定法,合适的才是最好的。本课的教学做了一个比较大胆的尝试,收到很好的效果。

关键词： 磁隔离   MOSFET驱动   高可靠   宽占空比   宇航二次电源  

摘要： 基于驱动变压器的磁隔离MOSFET驱动电路已经在宇航二次电源中得到广泛应用,针对现有磁隔离驱动电路存在的问题,结合宇航应用特点提出新型磁隔离驱动电路的6条设计目标,基于此设计了一种新型磁隔离驱动电路。详细分析了该电路的工作原理,推导出参数计算公式,并完成了全面的仿真验证。该电路具有:Vgs驱动电压幅值不随占空比发生变化以确保MOSFET高效导通;工作占空比可达90%以上且无失真传输;Vgs零负压从而保证功率MOSFET单粒子性能不受影响;占空比瞬变时驱动波形无异常震荡等特点。新一代宇航高效高功率密度电源拓扑的核心驱动问题得到解决,对提高星载二次电源效率具有重要的意义。

关键词： 应变硅   HALO掺杂沟道   非对称双栅   短沟道效应  

摘要： 提出了一种非对称双栅应变硅HALO掺杂沟道金属氧化物半导体场效应管结构.该器件前栅和背栅由两种不同功函数的金属构成,沟道为应变硅HALO掺杂沟道,靠近源区为低掺杂区域,靠近漏区为高掺杂区域.采用分区的抛物线电势近似法和通用边界条件求解二维泊松方程,分别求解了前背栅表面势、前背栅表面电场及前背栅阈值电压,建立了双栅器件的表面势、表面电场和阈值电压解析模型.详细讨论了物理参数对解析模型的影响.研究结果表明,该器件能够很好的抑制短沟道效应、热载流子效应和漏致势垒降低效应.模型解析结果与DESSIS仿真结果吻合较好,证明了该模型的正确性.

关键词： 单片机   PWM信号   MOSFET   双向DC/DC性能  

摘要： 通过对双向DC/DC变换器的系统结构及功率损耗的分析研究,以寻求合理的系统结构和性能参数,达到提高双向DC/DC变换性能的目的。通过对系统电路结构及工作原理的分析、核心器件参数的计算和选择、功率损耗的分析,首先进行了理论仿真,再经过实验测试,研究了在双向DC/DC变换中驱动脉冲占空比及频率、输出电流等对双向DC/DC性能及参数所产生的影响,从而确定了其最佳工作条件及参数。