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关键词： 探究环节倒置   表格留白   学生解决问题   核心素养培养  

摘要： 欧姆定律的探究环节分为两部分:电阻一定时探究电流与电压的关系;电压一定时探究电流与电阻的关系.在实际教学活动中滑动变阻器的引入易显得晦涩、突兀,理解滑动变阻器的作用也需要一个较长的过程.在本教学设计中把两个探究环节倒置,不仅使滑动变阻器的引入变得顺畅自然,还使学生容易理解滑动变阻器在各探究环节中的作用.此外,在实验中的数据记录环节笔者也用心作了设计——记录表格中的留白,借以给学生提供发现问题、解决问题的机会,提升学生综合能力,促进核心素养的培养.

关键词： 3300   V全SiC   MOSFET   开关特性   驱动电阻   结温   杂散电感  

摘要： 为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温、回路杂散电感等方面探寻了开关特性变化的规律;最后,在样机上进行了验证。结果表明,文章中所述优化开关特性的方法对全SiC逆变器的工程应用有一定的指导意义。

关键词： 功率MOSFET   英飞凌科技   电源管理   源极   行业标准   封装   股份公司  

摘要： 英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS 25V功率M0SFET。

关键词： 闭合电路欧姆定律   科学本质   科学探究   物理学史   教学设计  

摘要： 学生对科学本质的理解是科学教育的重要目标之一.在已有研究的基础上,以培养学生科学本质观为导向,对“闭合电路欧姆定律”的历史内容做深入分析,并以科学探究为主线将物理学史与该教学内容有机融合,设计“闭合电路欧姆定律”的课堂教学,以期为新时期高中物理重要内容的教学探索切实可行的方法和途径.

关键词： 功率MOSFET   MOSFET器件   分立器件   半导体   新标杆   RDS   PSM   安世  

摘要： 安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件,它树立了25V、0.57mΩ的新标准。

关键词： 漂移阶跃恢复二极管   磁饱和变压器   纳秒脉冲电源   MOSFET  

摘要： 漂移阶跃恢复二极管(DSRD)具有开关速度快、重频高、工作电流大等优点,在脉冲功率技术中很有应用前景。研究了一种基于磁饱和变压器的DSRD泵浦电路拓扑结构,具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。根据DSRD的工作要求,采用功率MOSFET作为初级开关,结合磁饱和变压器的升压和磁开关特性,设计了DSRD的泵浦电路。利用Pspice软件对电路进行了仿真分析,验证了电路原理的正确性。在仿真分析的基础上,完成了一台原理样机的设计和电路实验。实验结果表明,该电源样机在前级充电电压800 V条件下,50Ω负载上产生的脉冲幅值大于7 kV,前沿小于4.2 ns(10%~90%),半高宽约10 ns。

关键词： 欧姆定律   期间核查   耐压测试仪   泄漏电流   电气强度  

摘要： 在设备使用过程中或在相邻两次校准之间,按照规定程序验证其功能或计量特性能否持续满足方法要求或规定要求而进行的操作称为期间核查。期间核查的目的是为了保持对设备校准状态的可信度,确保测试数据准确有效。期间核查的方法多种多样,具体采用什么方法要视设备而定。本文选取的期间核查对象:耐压测试仪,其主要功能是测试受试设备的泄漏电流、电气强度等绝缘性能指标,涉及的参数是电压和电流,再把受试设备看作一个负载,那么在整个测试电路中其实就变成电压、电流、电阻三个物理量关系的电学问题。与欧姆定律中的三个物理量一致,于是便联想到利用欧姆定律来对耐压测试仪进行期间核查。本文将通过理论结合实际来论证该方法的可行性、实用性。

关键词： 功率MOSFET   导通电阻   栅极电荷   优值系数   功率转换   开关电路   拓扑结构   最佳水平  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款6.15mm×5.15mm PowerPAK■SO-8单体封装的—SiR680ADP,它是80V TrenchFET■第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率,从而节省能源,其导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数(FOM)为129mWnC,达到同类产品最佳水平。

关键词： 金属-氧化物-半导体场效应晶体管   碳化硅   驱动电路   串扰  

摘要： 碳化硅(SiC)器件由于具有禁带宽度更宽、临界击穿场强高、导通电阻小等优点,相比于硅(Si)器件更适用于高频开关场合,有利于提升电力电子装置的效率,减小装置体积。SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥电路应用中,交替导通的上、下开关管易发生串扰问题,严重限制了SiC MOSFET的应用。结合SiC MOSFET的参数特性及驱动要求,设计了一种高效的SiC MOSFET驱动电路,描述了其电路设计过程,并采用了一种栅极有源箝位串扰抑制方法。最后搭建了实验测试平台,验证了驱动电路的功能。

关键词： SiC功率MOSFET   全工作区域   变温度参数模型   MATLAB/Simulink模型  

摘要： 提出一种基于MATLAB/Simulink的SiC功率MOSFET全工作区变温度参数建模方法。在Si基横向双扩散MOSFET模型的基础上,采用与温度相关的电流源和电压源补偿器件漏极电流和阈值电压的变化。通过补充实验拓展SiC功率MOSFET的饱和区工作特性曲线,并根据Si C功率MOSFET的工作特性,采用数学拟合的方法来提取模型参数。在保留各个参数物理意义的同时,摆脱建模过程对物理参数的依赖。在不同电压、电流及温度(25~200℃)的情况下对器件的输出特性、转移特性、阈值电压、导通电阻及开关损耗进行测试,将测试结果与MATLAB/Simulink模型仿真结果进行性比较。模型仿真结果与实际测试结果一致,开关损耗误差在7%之内,验证了模型的准确性及有效性,为实际应用Si C功率MOSFET时系统性能及损耗分析提供参考依据。