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关键词： 无线耳机   Magna   MOSFET   充电电池   充电保护   年增长率  

摘要： MagnaChip宣布,公司推出一种新的用于无线耳机的MOSFET,以防止电池过度充电。该MOSFET旨在控制充电电池时流入无线耳机的过多电流,以保护无线耳机免受损坏。据该公司称,无线耳机市场规模可能从2019年的1.2亿台跃升至2020年的2.3亿台,随后的年增长率高达90%。

关键词： 人工智能   编程   Arduino开源平台   PWM智能调光灯   欧姆定律  

摘要： 随着人工智能的迅速发展,编程教育越来越受到各界人士的重视,未来编程教育也将进一步融入中小学课堂中。文章着重探究人工智能在中学物理实验中的应用:结合Arduino开源平台和软件编程,利用PWM制作智能调光灯,通过测量LED灯的电压和电流值验证“欧姆定律”。文章通过直观的实验现象让学生更加近距离地感受并理解物理知识,提高学生学习物理的积极性,融入新颖的编程知识能够激发学生对新事物的求知欲,同时培养学生对科技的兴趣。

关键词： 失效分析   MOSFET   可靠性  

摘要： 功率MOSFET因良好的压控开关特性和低导通阻抗特点,在功率电子电路中应用广泛。该类器件对装配工艺及设计应用有较高要求,本文在对几例功率MOSFET器件失效进行分析的基础上,总结了影响器件应用可靠性的因素,给出了相应的控制措施。

关键词： 物理规律   欧姆定律   函数图像   应用数学   图像处理   闭合电路   图像问题   具备的能力  

摘要： 应用数学处理物理问题的能力是高考对物理要求的基本能力之一,要求学生能够根据具体问题列出物理量之间的关系式,进行推导和求解,并根据结果得出物理结论;能运用几何图形、函数图像进行表达、分析,是学生必须具备的能力,与之相对应的是利用图像处理问题的能力,将物理规律、过程通过图像反映出来,使问题变得直观、形象。下面我们从图像的角度分析、理解闭合电路的欧姆定律。

关键词： 理想变压器   等效电阻法   远距离输电   欧姆定律  

摘要： 在近几年的高考中,变压器的考查难度有所增加,特别是在原线圈中加入电阻,使问题更加复杂,不仅要求学生对理想变压器的原理有深层的理解,而且会结合远距离输电的知识来考查,思路复杂,运算量也很大,本文先对等效负载电阻进行的推导,再在理想变压器和远距离输电等问题中应用常规方法和等效电阻法进行对比,从而得出等效法在变压器一类题型中可以使思路简单化,让问题迎刃而解[1].

关键词： 串联谐振   开关电源   MOSFET   故障诊断   支持向量机  

摘要： 针对在LLC串联谐振式开关电源中起关键作用但故障率高的MOSFET,基于Cadence/Or CAD PSpice软件环境,分析MOSFET的故障失效模式及其在电路中造成的影响,以电路功能模块之间的关键输入/输出为故障特征提取点,建立故障特征集,并分别采用基于K-CV优化的支持向量机算法和基于GA优化的BP神经网络算法。诊断结果表明,所选择的测点数据基本保留电路中MOSFET的故障特征,两种算法均具备较高的诊断准确率。文中提出的诊断策略具有实际可操作性强、运算简洁的特点。

关键词： 4H-SiC   MOSFET   碳化硅   静态特性   温度特性   器件仿真  

摘要： SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下4H-SiC MOSFET的设计与制造,文章基于Silvaco平台对高压4H-SiC MOSFET器件进行了仿真建模,获得了其不同温度下的击穿电压、转移特性和输出特性,探究了温度对其击穿电压、阈值电压、饱和漏电流、导通电阻的影响规律。文章最终得到了300 K时击穿电压为4450 V的SiC MOSFET器件元胞结构模型,验证了其静态特性及参数受温度影响较明显,该影响规律符合SiC MOSFET的静态特性理论。

关键词： Matlab   Simulink   SiC   MOSFET   非线性器件   等效电路模型   曲线拟合   仿真模型   建模  

摘要： 基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法,使原本在Simulink中不易实现的功率器件的非线性电容特性得以表征,将该模型的特性与datasheet进行对比,模型精度达到97.44%,证明了该模型的准确性。

关键词： 中考物理   中考复习   物理情景   高效复习   把握方向   串并联电路   初中教育   欧姆定律   复习策略   福建省  

摘要： 日前,教育部在山西长治召开新闻发布会,发布了重磅文件《教育部关于加强初中学业水平考试命题工作的意见》(以下简称"《意见》")。这是教育部关于中考命题导向的顶层设计,具有鲜明的时代性,作为一线教育工作者,要顺应新时代呼唤,在中考复习过程中始终把握正确方向,这也是我们开展中考复习的基本出发点。

关键词： 功率MOSFET   导通电阻   栅极电荷   优值系数   最佳水平   功率密度  

摘要： 日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK■1212-8S封装,10V条件下导通电阻达到业内最低的3.5mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172mW*nC,达到同类产品最佳水平。