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关键词： 解决问题   闭合电路欧姆定律   核心素养   信息技术融合  

摘要： 基于2019年高考大纲提出大力引导学生从"解题"向"解决问题"转变这一观点,以"闭合电路欧姆定律"为例,阐述在平时教学中如何渗透这种理念,潜移默化地提升学生的物理学科核心素养。

关键词： SiC   MOSFET   串扰   共源电感   SiC驱动  

摘要： SiC MOSFET凭借着低开关损耗、高工作频率与高工作温度点等优点,逐渐在高效率、高功率密度与高温的应用场合取代传统的硅功率器件。然而,在高速开关中带来的栅极串扰现象严重制约SiC器件的开关速度。传统的串扰抑制方法重点关注由栅极–漏极寄生电容引入的干扰电压,往往通过减小驱动回路阻抗的方式来降低串扰电压。该文基于SiC MOSFET器件的开关模态,提出考虑共源电感的分段线性化串扰电压模型。该模型基于器件数据手册及双脉冲实验提取的参数,考虑栅极–漏极电容、共源电感、体二极管反向恢复等非理想因素的影响。对比不同电压点、电流点与电阻值下实验与模型的输出结果。该模型表明,串扰电压是由器件栅极–漏极电容、共源电感与驱动回路阻抗共同作用的结果。单一降低驱动回路阻抗的方式对串扰电压的抑制效果有限。基于提出的模型,该文给出串扰电压抑制的指导方法,可直接用于SiC MOSFET驱动电路的设计。

关键词： 电压源   电流源   电流控制电压源   电压控制电压源  

摘要： 设计实际的电流控制电压源和电压控制电压源,利用实际的电流控制电压源或电压控制电压源与实际独立电源,实现与理想电压源和理想电流源外部性质相同的电压源和电流源及电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源。

关键词： 寄生电容   金属氧化物半导体   测试失效  

摘要： 随着半导体后道封装测试的要求越来越高,其中对器件的测试判定已经不能简单的区分为“好”与“坏”来满足。后道封装测试应该尽可能实现准确的细化失效参数,从而给失效分析提供更快,更准确的判断。极大缩短从测试失效判定到失效原因分析,以及失效工艺改进的时间。鉴于金属氧化物半导体(MOSFET)的固有寄生电容效应,给后道封测失效判定的准确性带来了一定的挑战。本文通过对金属氧化物半导体器件寄生电容效应的研究,在试验和实际生产中优化了测试项目和顺序,从而有效规避了寄生电容效应对金属氧化物半导体器件失效判定的误导。本文提供了一种准确细化金属氧化物半导体器件封测失效参数的方案。

关键词： 计量学   量子电压   SNS型双路约瑟夫森结阵   平衡三进制   节点电压法  

摘要： 根据SNS型双路约瑟夫森结阵的驱动原理以及结阵分段特点,提出了平衡三进制驱动算法,实现了双路约瑟夫森结阵偏置状态的快速计算。根据约瑟夫森结阵的偏置状态以及组合方式,采用节点电压法,准确合成了双路阶梯波交流量子电压的台阶电压值,最终实现了最小分辨率为2个结,有效位为15位的交流量子电压输出。双路交流量子电压互测实验结果表明,合成交流量子电压的最大误差为0.06μV,双路信号同步性测试实验中,两个通道的相位差为-0.01μrad,证明了合成双路交流量子电压具有较高的幅值准确度和相位同步性。

关键词： 电路   电阻   闭合电路欧姆定律  

摘要： 闭合电路欧姆定律是恒定电路中的重要规律之一,本文就如何应用闭合电路欧姆定律求解相关问题作初浅的探讨.

关键词： 散热器   正交试验   数值模拟   热设计   优化设计  

摘要： 利用仿真软件ICEPAK对一款大功率MOSFET管散热器进行了热仿真模拟。为了提高散热器的散热效率以及控制散热器重量,使用正交试验法对散热器进行模拟优化设计,从基板厚度、翘片数量、翘片间隔等5个方面考察了MOSFET管散热器的尺寸参数对散热器重量与MOSFET管最高温度的影响。得到了一个散热效率最优化结果,优化后MOSFET管的最高温度较优化前下降了26.644℃,重量降低70 g。

关键词： 电源电压   方程组   欧姆定律   定值电阻   初中物理   电阻箱   电流表   灯泡电阻   电功率  

摘要： 大部分初中生年龄在12~16岁之间,根据皮亚杰的认知发展阶段理论,初中生的认知水平集中在具体运算阶段和形式运算阶段,抽象思维能力逐步由经验型向理论型发展,整个初中阶段经验型占优势地位。九年级的学生能够通过数学公式进行简单的物理计算,但是用数学形式叙述物理问题的能力不足,不能通过题意将有关物理问题的本质属性抽象出来,更不用说后续联立方程组求解结果。

关键词： SiC   plasma   oxidation   interface   traps   MOSFET  

摘要： The microwave plasma oxidation under the relatively high pressure(6 kPa)region is introduced into the fabrication process of SiO2/4 H-SiC *** controlling the oxidation pressure,species,and temperature,the record low density of interface traps(~4×10^(10)cm^(-2)·eV^(-1)@Ec-0.2 eV)is demonstrated on SiO2/SiC stack formed by microwave plasma *** high quality SiO2 with very flat interface(0.27-nm root-mean-square roughness)is *** performance Si C metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFETs)with peak field effect mobility of 44 cm^(-2)·eV^(-1)is realized without additional *** results show the potential of a high-pressure plasma oxidation step for improving the channel mobility in SiC MOSFETs.

关键词： 碳化硅   碳化硅功率金属场效应晶体管模块   6.5kV   开关时间   开关损耗  

摘要： 该文报道6.5kV、25A及100A两款全碳化硅(silicon carbide,SiC)功率金属场效应晶体管(metal oxide field-effect transistor,MOSFET)模块制备及测试结果。两款模块所采用的6.5kV SiC MOSFET及SiC肖特基二极管芯片均采用自主研制的高压SiC芯片,充分显示了在SiC材料外延、器件制备及模块封装领域国产化方面的巨大进展。该文报道6.5kV、25A和100A两款模块动静态性能表征结果,并与国际研究报道水平做对比分析。室温下,两款模块导通能力分别大于25A和100A;栅源短接,在漏极电压6.5kV时,模块漏电流分别为2.0μA和8.77μA。对6.5kV、25A模块动态参数、开关波形进行测试,以表征单管芯MOSFET动态性能特性。在工作电压3.6kV、导通电流25A下,对模块进行动态测试,结果表明,SiC MOSFET具有快速的开关特性,其中开通时间(开通损耗)和关断时间(关断损耗)分别为140ns(12.3m J)和84ns(1.31m J)。测试结果表明,研制的全SiC模块具有优越的动静态性能,相对传统硅6.5kV绝缘栅双极晶体管芯片在开关速度及开关损耗方面具有巨大优势,该款6.5kV SiC功率模块在智能电网、电能转换及配电网络领域具有广阔的应用前景。