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关键词： Mosfet平台电压时间   图腾柱驱动电路   RLC串联谐振电路   Mos管栅极电阻  

摘要： Mosfet平台电压时间是Mos管处于放大区的典型标志,Mos管不能很快进入开关状态,从而严重增加Mos管的开关损耗,导致Mos管发热量极大。针对上述问题,综合考虑图腾柱驱动电路的栅极电阻参数不同对Mosfet平台电压时间测量和Mos管关断期间浪涌电流di/dt对电容Cgs的影响,在保证系统稳定的前提下找出降低Mos管发热量的最佳平台时间。基于RLC串联谐振电路模型,适当增加Mos管栅极电阻来减少电容Cgs电压振荡,确保Mos管正常导通和关闭。设计并制作了电动车轮毂电机的低压Mosfet驱动电路实验样机,并做了相关的测试。实验结果表明:合适的平台电压时间降低了图腾柱驱动电路拓扑低压Mos管的发热损耗,开关管关断时候的di/dt明显降低,电路的整体效率得到提高。

关键词： SiC   MOSFET   射频   纳秒短脉冲   脉冲功率源   高电压  

摘要： 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,MOSFET)比Si MOSFET具有更低的导通电阻、更高的通流能力和热稳定性。但射频硅(radio frequency silicon,RF-Si)基MOSFET凭借其优异的开关动态特性,在高压纳秒脉冲发生器中的使用比SiCMOSFET更为普及。为了拓展SiC MOSFET的应用范围,通过RF-Si和SiCMOSFET在多脉冲参数条件下瞬态开关特性(动态特性、瞬态开关损耗、时间抖动)的对比研究,该文揭示2种半导体器件在瞬态高压和强流下的开关特性差异。实验结果表明:相对于RF-Si基MOSFET,SiC MOSFET的优势体现在开通、关断时间。但由于寄生参数的影响,SiC MOSFET呈现出更大的振荡和过冲,而在瞬态开关损耗、时间抖动方面没有明显的优势。因此,通过改进SiCMOSFET的封装从而减小寄生参数,将推动SiC MOSFET在高压纳秒脉冲发生器中的应用。

关键词： 欧姆定律   线性元件   纯电阻电路   金属导体   气体导电   电解质溶液  

摘要： 教材对欧姆定律的适用范围的表述不够严谨,在教学中,欧姆定律的适用条件到底是线性元件还是纯电阻电路?或者两者都是?这让很多教师和学生都有所困惑。通过分析欧姆定律,对比焦耳定律,再对欧姆定律进行迁移和拓展,以及对不同导体导电机制的分析,得出欧姆定律的适用条件就是纯电阻电路。

关键词： 金属-氧化物半导体场效应晶体管   驱动电阻   开关行为   调控规律  

摘要： 针对碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动电阻的选择问题,建立开关瞬态电路模型。通过数学推导定性分析,确立了受驱动电阻影响的SiC MOSFET开关行为主要特征。在此基础上,搭建双脉冲测试实验平台,将驱动电阻与振荡、超调、损耗和温升之间的关系进行定量分析。通过将器件非理想特性对驱动电阻的敏感度进行归一化处理,归纳出驱动电阻对SiC MOSFET特性的调控规律,从而指导SiC MOSFET栅极驱动回路的优化设计。

关键词： 伏安法测电阻   外接法   欧姆定律   电流表   内接法   电压表   分流作用   接线柱  

摘要： 1电流表的内接法和外接法伏安法测电阻实验中电流表有两种接法.电流表接在电压表两接线柱内侧,通常叫"内接法",如图1-甲;电流表接在电压表两接线柱外侧,通常叫"外接法",如图1-乙.伏安法测电阻的原理是部分电路欧姆定律,它的测量值和真实值应该是:R测=UV/IA,R真=U(Rx)/I(Rx),由于电压表和电流表都有内阻,电流表、电压表分别有分压、分流作用,因此两种测量方法都会产生系统误差.

关键词： 核心素养   教学衔接   欧姆定律  

摘要： 新一轮的课程改革将核心素养作为指导性理念,高中物理作为初中物理的延伸与发展,在核心素养培养方面存在着很大的差别。笔者以“欧姆定律”为例,从物理核心素养出发进行教学设计,以期将初高中物理更好地衔接起来。

关键词： 交变电流   恒定电流   电磁感应   理解和应用   有效值   交流电   高中电学   课程内容  

摘要： 高中电学部分的课程内容是由浅入深、逐级铺垫的.恒定电流、电磁感应等内容为交变电流的内容作了铺垫.交流电是相对于直流电来说的,其大小和方向会发生周期性变化.如果一个恒定电流与交变电流热效应相同,则恒定电流的电压、电流为交变电流的电压、电流的有效值.交变电流有效值的理解和应用是整章内容的重点之一.

关键词： 学习进阶   教学设计   闭合电路欧姆定律  

摘要： "闭合电路欧姆定律"作为"恒定电流"这一章教学的重难点,同时也是整个电流与电路板块的核心内容。在教学实践时,学生往往无法掌握定律的应用,课堂效果无法达到预期结果,学习进阶理论可帮助解决这一问题,使课堂设计清晰简洁,为教师提供了一条高效备课的路径。

关键词： 项目式学习   教学设计过程   高中物理   核心素养   新课教学   深度学习   情境的创设   激发学习兴趣  

摘要： 过去十几年的新课程改革强调新课教学的情境创设,在注重核心素养和深度学习的今天更加强调情境的创设和项目式学习。这两种情境有共同点也有区别,笔者结合“闭合电路欧姆定律”这节课的具体教学过程,谈一谈自己对情境创设的一些认识。一、在激发学习兴趣方面存在的共性之前的教学设计过程同样强调创设情境,新旧情境的创设都强调对学生学习兴趣的激发。

关键词： 碳化硅(SiC)   MOSFET   低温   特性  

摘要： 碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。