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关键词： 碳化硅   并联   双脉冲测试  

摘要： 以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。

关键词： 蓝牙耳机   连接器   TWS   元器件   MOSFET   松下   解决方案   外形尺寸  

摘要： 1连接器的挑战及解决方案现状来看,一般蓝牙耳机中用BTB连接器较少,TWS耳机中用BTB连接器较多。从外形尺寸来看,从有线耳机到颈戴式耳机,再到TWS耳机的,体现了小型化的趋势。例如,TWS耳机由最初的耳挂式(如AirPods)到更小的入耳式,就体现了这一趋势。TWS耳机的小尺寸要求元器件在满足可靠性的前提下,实现更小的尺寸。如何在更小尺寸的TWS耳机里摆放更多的元器件,将会长期成为设计人员的挑战。松下的解决方案如下。

关键词： 交流电   相位   旋转矢量   功率因数   中学生  

摘要： 交流电跟直流电有诸多的共性,有效值是联系两者的桥梁,类比迁移是学生学习这部分内容时经常用到的方法;但交流电的产生、描述又有其特有的性质,需要关注电感、电容、电阻在交变电路中的作用.旋转矢量法是描述交流电的一种很好的方法,同时也会将繁杂的三角代数运算转化为矢量运算,这也是一种对学生进行科学思维的培养——相同的表达形式一定有相似的物理规律.

关键词： 高中物理   科学论证   科学技术教育   欧姆定律   物理概念和规律   教学研究   物理方法   普通高中物理课程标准  

摘要： 《普通高中物理课程标准(2017版)》提出将科学论证作为物理核心能力中科学思维的主要内容,显示了其重要性。科学论证对于提高物理教学质量非常重要。重视科学论证可以促进物理概念和规律的教学,提高科学研究的质量,有助于深化物理方法的教学,提高科学技术教育的质量,更好地发展科学自然教育。

关键词： 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管   暂态不稳定   测量探头   阻抗建模  

摘要： 碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)的开关速度非常快,对功率器件、电路布局和测量探头的寄生参数极为敏感。然而,测量探头和功率器件的交互机理、探头寄生参数对SiC MOSFET暂态稳定的影响机理尚不明晰,给SiC MOSFET的工业应用带来了严峻挑战。计及探头的寄生参数,该文建立电压和电流探头的电路模型和数学模型,揭示探头寄生参数对输入阻抗和测量带宽的影响规律。此外,从阻抗的角度,建立器件和探头交互作用的电路模型和数学模型。从根轨迹的角度,分析多种因素对SiC MOSFET暂态稳定性的影响规律。大量对比实验结果表明:探头的寄生参数会干扰SiC MOSFET暂态稳定性,且受辅助电路调节。低带宽的电压探头具有较大的输入电容,低带宽的电流探头具有较大的寄生电感,这些寄生参数会降低SiC MOSFET的暂态稳定性。使用较大的栅极驱动电阻,可以增强器件的暂态稳定性。此外,缓冲电路也有助于提升器件的暂态稳定性。

关键词： 惠斯登电桥   电路   欧姆定律  

摘要： 电桥的内容在新课标中被删掉了,但是这种分析问题的思想实际上是恒定电流一章知识的升华,是考查学生对本章知识的理解和应用能力的掌握提升。

关键词： 固态调制器   分裂式铁芯   IGBT   Mosfet   高变比   低阻抗  

摘要： 固态调制器广泛用于高能物理研究、电子激光、军事、食品加工、气象预报、医疗等领域。介绍了一种以IGBT为开关管的全固态调制器,前级采用IGBT并联技术,后级采用高变比低阻抗脉冲变压器升压。脉冲变压器采用分裂式铁芯和锥形骨架技术,大幅降低脉冲漏感改善脉冲输出波形。分析了脉冲变压器分布参数对输出波形的影响,通过仿真验证技术指标方案可实现性,设计出了满足波形指标要求的320KV全固态分裂式脉冲变压器工程样机。

关键词： SiC MOSFET   IGBT   驱动电路   栅极驱动电阻   双脉冲测试  

摘要： 近年来基于SiC和GaN的宽禁带半导体器件开始逐渐替代传统的Si IGBT器件,而面对高的开关速度所带来的问题,宽禁带半导体器件的开关特性分析以及驱动电路的设计在系统可靠运行方面显得尤为重要。以SiC MOSFET模块C2M0280120D为例设计了一款驱动电路,并在双脉冲测试平台对驱动电路进行了验证,同时分析了不同栅极驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响。比较了传统Si器件和SiC宽禁带半导体器件在静态特性和开关特性上的差异,以分析SiC MOSFET驱动与传统Si IGBT驱动的区别。最后验证了所设计的驱动电路能保证驱动速度和栅极电压需求,并通过栅极电阻改变开关特性。

关键词： 门极驱动   保护特性   MOSFET   加利福尼亚州   高压逆变器   AEC   认证  

摘要： 美国加利福尼亚州圣何塞,2020年3月17日–深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布,其适合碳化硅(SiC)MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriverTM现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压要求,并具有先进的安全和保护特性。

关键词： LED寿命   可靠性   温度   MOSFET  

摘要： 针对LED灯具寿命受温度影响的问题,提出了一种较为完善的优化设计方法。通过对影响LED灯具寿命因素进行分析,指出温度是影响LED灯具寿命的关键。重点分析引起MOSFET发热严重的原因,并提出切实可行的优化方案,即对LED芯片串并联方式进行优化设计,并进行了试验。实验结果表明,通过改变LED芯片排列方式,可有效地将MOSFET的温度降低10℃左右,证明了该优化设计的可行性。