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关键词： 高压   脉冲源   桥式MOSFET   同步触发   Royer振荡电路  

摘要： 采用脉冲变压器隔离驱动桥式MOSFET电路,获得了幅度约5000 V,上升时间48 ns的高压脉冲,只需控制Royer振荡电路电源电压就可以改变输出高压幅度,且输出高压是Royer振荡电路输出高压的四倍,大幅降低了器件的耐压值,减小了器件尺寸和功耗。输出高压与输入和控制电路电气隔离,减小了对其他电路的电气干扰,可广泛应用于激光、探地雷达、高速相机、电磁脉冲研究、加速器和高能物理等领域。

关键词： 故事情境   主线   电路图   载体   思维导图  

摘要： 物理学科的核心素养包括物理观念、科学思维、科学探究和科学态度与责任四个方面。以"欧姆定律"单元复习教学为例,以故事情景为主线、以电路图为载体的教学形式,提升复习课堂中学生的学习兴趣,培养学生的科学思维能力和科学态度与责任。

关键词： 导通电阻   功率半导体   寄生电容   开关过程   沟槽结构   耐受时间   MOSFET   开关损耗  

摘要： ROHM开发出"1200V第4代SiC MOSFET",非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品,通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构,改善了二者之间的矛盾权衡关系,与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约40%。而且,通过大幅减少寄生电容(开关过程中的课题),与以往产品相比,成功地将开关损耗降低了约50%。

关键词： 深度学习   问题驱动   物理教学  

摘要： 深度学习是以发展思维和解决实际问题为目标的理解性学习;问题驱动教学法是以问题为核心,让学生围绕问题寻求解决方案的一种学习方法。教学中设置问题链,逐步引导学生明确研究对象,设计实验方案,优化电路图,在实验探究中得到电流与电压、电阻的定量关系,实现从浅层学习到深度学习的跃迁。

关键词： 核心素养   欧姆定律   复习课  

摘要： 以欧姆定律教学为例,通过课前布置学生自主绘制思维导图、用仿真实验演示再现实验探究过程、通过巧妙设问,引导学生自主设计实验解决问题,以培养学生的物理学科核心素养。

关键词： 4H-SiC   electric field strength   floating guard ring   specific on-resistance  

摘要： A 4H-SiC power MOSFET with specific on-resistance of 3.4 mΩ·cm^2 and breakdown voltage exceeding 1.5 kV is designed and *** simulations are carried out to optimize the electric field strength in gate oxide and at the surface of the semiconductor material in the edge termination *** n-type implantation in JFET region is implemented to reduce the specific *** typical leakage current is less than 1μA at VDS=1.4 ***–source current reaches 50 A at VDS=0.75 V and VGS=20 V corresponding to an on-resistance of 15 mΩ.The typical gate threshold voltage is 2.6 V.

关键词： 欧姆表   欧姆定律   实验题  

摘要： 欧姆表相关的题型,学生得分率低,主要原因是欧姆表问题涉及的物理参数多,参数之间的关系复杂,短时间内不易找到合适的公式计算.本文介绍一组比值公式,可以直观的表达欧姆表中各物理量之间的关系,快速求解相关问题.最后指出实际欧姆表电路的特征.

关键词： 核心素养   模型建构   欧姆定律   应用  

摘要： 以北师大版"欧姆定律的应用"为例,阐述了基于初中学生在物理学习中模型建构能力培养的教学设计,目的是提升学生的科学思维能力,促进其核心素养的提升。

关键词： 碳化硅MOSFET   开关损耗   延时补偿   振荡  

摘要： 准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metaloxide-semiconductor,MOSFET)开关损耗,是正确评估碳化硅(silicon carbide,SiC)MOSFET开关特性、优化驱动电路、降低损耗的前提。由于SiC MOSFET具有较高的开关速度,传统的双脉冲测试方法存在测量延时、高频振荡等问题,导致损耗评估这一在Si IGBT时期并不严重的问题在SiC时代更加凸显。该文首先对理想开关过程进行分析,提出一种由开关时序特征来校准测量延时的方法,并考虑到实际开关过程中寄生参数的影响,对延时校准方法进行改进;其次分析开关暂态过程中的高频振荡,提出一种计算高频振荡产生附加开关损耗的方法,在保证器件安全的前提下,通过综合开关损耗最优原则对驱动电路参数进行筛选;最后以一款自主封装的全SiC MOSFET功率模块为例,对测试方法进行评估验证,设计结果应用于一款车用驱动控制器,和相同功率等级的Si IGBT控制器进行测试对比,证明文中方法的正确性和实用性。

关键词： 习题课   习题创新设计   教学实验创新   教学创新  

摘要： 为了把科学思维、科学探究、科学态度与责任等物理学科核心素养落实到初中物理习题教学之中,文章用递进式策略设计了“欧姆定律在串联电路中的应用”一节课的教案。力图让学生具有将生活与物理联系的意识,能在生活观察中提炼物理问题,并具备解决问题的能力。