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关键词： 课堂引入   欧姆定律   兴趣   物理学史  

摘要： 欧姆定律是九年级物理教学的一个重难点,在电学中有很重要的地位。引入作为一堂课的开端,对学生的影响不言而喻。基于此,通过对"中国知网"上关于欧姆定律教学设计相关论文进行分析,总结了欧姆定律教学过程设计的引入部分。指出其中有待解决或发展的问题并提出个人意见,希望帮助初中学生更好地掌握并学习欧姆定律。

关键词： 功率半导体   结型场效应晶体管   导通电阻   电源系统   三菱电机   漏极   JFET   掺杂技术  

摘要： 三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET,具有低功耗和高容限等特性。具体来说,结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻,从而实现了1450mΩ内阻。与使用常规的IGBT相比,功耗降低了约85%。据称,通过降低镜像电容(MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容Crss),自导通容差比竞争对手的产品提高了14倍,因此可以实现快速的开关操作,有助于减少开关损耗。降低的开关功率损耗之后可以选择更高载频的功率半导体,散热器可实现小型化和简化,以及诸如电抗器之类的外围组件的小型化,从而有助于降低整个电源系统的成本和尺寸。

关键词： PSP-SOI   BSIM-IMG   HiSIM-SOTB   双栅   MOSFET   直流特性  

摘要： 基于p型衬底的DG SOI MOSFET器件,分析了PSP-SOI,BSIM-IMG和HiSIM-SOTB模型器件建模的可适用性。对3种模型的物理机理和数学方程进行研究,提取器件的直流特性及参数值。实验数据对比结果表明:相比PSP-SOI和HiSIM-SOTB,BSIM-IMG的仿真精度分别提高了2.08%和7.10%。所以,BSIM-IMG更适用于DG SOI MOSFET器件直流特性建模。

关键词： 晶圆代工厂   行业经历   涨价潮   库存调整   MOSFET   原料供应  

摘要： 从2018年至2019年,MOSFET行业经历了长达一年的去库存调整周期,到2019年下半年,库存已经基本消化完毕。但2020年初的一场新冠疫情,使得市场的节奏被打乱。不过,随着国内疫情逐步得到控制,大陆地区的ODM/OEM工厂复工率回升,MOSFET业者也开始进入接单旺季。但与此同时,上游晶圆代工厂产能吃紧,海外疫情蔓延,致使原料供应不足,MOSFET市场将何去何从。

关键词： 惠斯通电桥   电流模式驱动   镜像结构   CMOS技术   线性稳定性  

摘要： 为了实现惠斯通电桥更好的输出线性特性和响应的稳定性,文中基于MOSFET管的镜像结构提出了一种新的电流模式驱动的惠斯通电桥电路设计.采用CMOS技术和具有共模反馈的简化电路设计,仅由2个敏感电阻器、1个恒定的激励电流、1个运算放大器和3个电流镜像构成,使得电路更加灵活,减少了电路元器件和有效面积,单电源电压工作,可适用于低压集成电路的实现.仿真结果表明,文中提出的惠斯通电桥电路结构相比于其他惠斯通电桥电路结构,不仅具有更好的线性特性,而且对频率和温度的响应特性也更稳定,从而使得整体电路具有较低的功耗.

关键词： SiC MOSFET   分级驱动控制   开关特性   损耗计算   电力电子变压器  

摘要： SiC MOSFET器件具有电压等级高、功率密度大、耐高温的特点,已经逐渐应用到电力电子变压器等高压大容量电力电子装置中。然而,SiC MOSFET高速开关过程对寄生参数非常敏感,容易导致严重的电压电流尖峰、开关振荡等现象,EMI问题突显,这将严重影响设备运行的稳定性和安全性。针对SiCMOSFET器件的应用问题,提出一种分级驱动控制方法,主动对开通过程的di/dt和关断过程的du/dt进行控制,从而优化SiC MOSFET的开关特性。进而,基于CREE公司的CAS300M17BM2SiCMOSFET半桥模块,搭建仿真模型和模组试验平台,开展理论分析和损耗计算,并通过仿真与试验验证该方法的有效性。

关键词： 谐振变换器   软开关   金属氧化物半导体场效应晶体管  

摘要： LLC谐振变换器基于软开关技术,具有开关损耗低、功率密度大、电压输入范围宽等优点。但在设计高电压直流输入的LLC谐振变换器时,受限于半导体工艺技术,开关管的最高工作电压无法满足电路要求。针对此问题,提出使用多个开关管串联来实现高压应用的目的。首先分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作特性,然后采用软开关技术和LLC谐振技术,设计基于4个MOSFET串联的半桥LLC谐振电路,最后搭建一台直流输入300 V、直流输出40 V、功率100 W的测试样机,以验证电路的可行性。

关键词： 电源转换器   负载点   半桥   MOSFET   电源管理模块   应用程序   电路板空间   芯片解决方案  

摘要： Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率,从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本,功率和空间节省。与典型的两芯片解决方案相比,DMN3012LEG在尺寸仅为3.3mm×3.3mm的单个封装中集成了双MOSFET,并将电路板空间需求减少了多达50%。这种节省空间的优点是使用负载点(PoL)和电源管理模块的一系列应用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器和半桥电源拓扑中,以减小电源转换器解决方案的尺寸。

关键词： 欧姆表   刻度   欧姆定律  

摘要： 在用欧姆表测电阻实验中,所测电阻无论阻值多大,都必须保持指针指在中间附近,只有这样实验数据才准确,所以万用表欧姆挡需要设置不同的倍率。

关键词： 导通电阻   功率半导体   半导体制造商   耐受时间   MOSFET   逆变器   京都市   动力总成系统  

摘要： 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出"1200V第4代SiC MOSFET※1",非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说,当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短,两者之间存在着矛盾权衡关系,因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时,如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。